学者信息

赖虹凯 (HongKai Lai)

厦门大学

合作者

已发表成果:

WOK 论文 108 篇;中文核心 25 篇;其它论文 12 篇;专利发明 13 个;

  • 基于Ge浓缩技术和O_3氧化制备超薄GOI材料

    半导体光电,1001-5868,2016-10-28.
    蓝小凌;林光杨;池晓伟;陆超;卢启海;李成;陈松岩;黄巍;赖虹凯
    理工二类核心
  • 图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析

    厦门大学学报(自然科学版),0438-0479,2014-09-28.
    高玮;亓东锋;韩响;陈松岩;李成;赖虹凯;黄巍;李俊
    CSCD核心 理工二类核心
  • Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET

    半导体技术,1003-353X,2014-02-03.
    张茂添;刘冠洲;李成;王尘;黄巍;赖虹凯;陈松岩
    CSCD扩展 理工二类核心
  • 硅基硒纳米颗粒的发光特性研究

    物理学报,1000-3290,2013-09-08.
    潘书万;陈松岩;周笔;黄巍;李成;赖虹凯;王加贤
    CSCD核心 理工二类核心
  • 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析

    物理学报,1000-3290,2013-08-23.
    严光明;李成;汤梦饶;黄诗浩;王尘;卢卫芳;黄巍;赖虹凯;陈松岩
    CSCD核心 理工二类核心
  • 合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响

    半导体技术,1003-353X,2013-07-03.
    林旺;阮育娇;陈松岩;李成;赖虹凯;汤丁亮
    CSCD扩展 理工二类核心
  • 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长

    物理学报,1000-3290,2012.
    陈城钊;郑元宇;黄诗浩;李成;赖虹凯;陈松岩
    CSCD核心 理工二类核心
  • Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究

    光电子.激光,1005-0086,2012.
    陈城钊;陈阳华;黄诗浩;李成;赖虹凯;陈松岩
    CSCD核心 理工二类核心
  • 采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能

    物理学报,1000-3290,2012.
    吴政;王尘;严光明;刘冠洲;李成;黄巍;赖虹凯;陈松岩
    CSCD核心 理工二类核心
  • N型掺杂应变Ge发光性质

    物理学报,1000-3290,2012.
    黄诗浩;李成;陈城钊;郑元宇;赖虹凯;陈松岩
    CSCD核心 理工二类核心
  • 快速热氧化制备超薄GeO_2及其性质

    半导体技术,1003-353X,2012.
    路长宝;刘冠洲;李成;赖虹凯;陈松岩
    CSCD扩展
  • 硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛

    厦门大学学报(自然科学版),0438-0479,2011.
    李阳娟;黄凯;赖虹凯;李成
    CSCD核心 理工二类核心
  • 循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究

    物理学报,1000-3290,2011.
    胡美娇;李成;徐剑芳;赖虹凯;陈松岩
    CSCD核心 理工二类核心
  • Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展

    半导体光电,1001-5868,2011.
    黄诗浩;李成;陈城钊;郑元宇;赖虹凯;陈松岩
    CSCD扩展
  • Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用

    物理学报,1000-3290,2011.
    潘书万;亓东峰;陈松岩;李成;黄巍;赖虹凯
    CSCD核心 理工二类核心
  • Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究

    光电子.激光,1005-0086,2011.
    郑元宇;李成;陈阳华;赖虹凯;陈松岩
    CSCD核心 理工二类核心
  • GaN基LED与Si键合技术的研究

    光电子.激光,1005-0086,2010.
    阮育娇;张小英;陈松岩;李成;赖虹凯;汤丁亮
    理工二类核心
  • Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究

    光电子.激光 ,1005-0086 ,2009.
    陈荔群;周志文;李成;赖虹凯;陈松岩
    理工二类核心
  • 真空高温脱O引起Si图形衬底形态变化的研究

    光电子.激光 ,1005-0086 ,2009.
    周志玉;周志文;李成;陈松岩;赖虹凯
    理工二类核心
  • Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光

    材料科学与工程学报 ,1673-2812 ,2009.
    廖凌宏;周志文;李成;陈松岩;赖虹凯;余金中;王启明
    理工二类核心
  • Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

    固体电子学研究与进展,1000-3819,2008-12-25.
    张永;李成;赖虹凯;陈松岩;康俊勇;成步文;王启明
    理工二类核心
  • 硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析

    光电子.激光,1005-0086,2008-05-15.
    蔡志猛;周志文;李成;赖虹凯;陈松岩
    理工二类核心
  • Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

    物理学报,1000-3290,2007-07-15.
    林桂江;周志文;赖虹凯;李成;陈松岩;余金中
    理科权威、理科核心
  • 带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器

    光电子·激光,1005-0086,2006-01-15.
    李成;赖虹凯;陈松岩;王启明
    理科核心
  • 基于光学小波系统的DNA序列编码区预测

    厦门大学学报(自然科学版),0438-0479,2003-03-30.
    蔡伟伟;赖虹凯
    理科核心
  • 激光显微拉曼技术检测晶体管工作电流导致的器件自加热现象

    光散射学报,1004-5929,2012.
    徐剑芳;赖虹凯;李成
  • 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟(英文)

    半导体学报,0253-4177,2008-05-15.
    陈锐;林桂江;陈松岩;李成;赖虹凯;余金中
  • P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计

    半导体学报,0253-4177,2008-04-15.
    邓和清;林桂江;赖虹凯;李成;陈松岩;余金中
  • Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究

    半导体光电,1001-5868,2008-04-15.
    周志玉;周志文;李成;陈松岩;余金中;赖虹凯
  • UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

    半导体学报,0253-4177,2008-02-15.
    周志文;蔡志猛;张永;蔡坤煌;周笔;林桂江;汪建元;李成;赖虹凯;陈松岩;余金中;王启明
  • 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征

    半导体学报,0253-4177,2007-12-15.
    蔡坤煌;张永;李成;赖虹凯;陈松岩
  • 激光全息法制备二维硅基图形衬底

    半导体学报,0253-4177,2007-05-15.
    王钰;周志文;李成;陈松岩;赖虹凯
  • 利用金属过渡层低温键合硅晶片

    半导体学报,0253-4177,2007-02-15.
    张小英;陈松岩;赖虹凯;李成;余金中
  • 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

    半导体学报,0253-4177,2006-05-30.
    林桂江;赖虹凯;李成;陈松岩;余金中
  • 退火温度对嵌入Si中的β-FeSi_2颗粒发光的影响

    半导体学报,0253-4177,2006-01-30.
    李成;赖虹凯;陈松岩
  • 微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用

    微电子学,1004-3365,2005-10-20.
    徐剑芳;李成;赖虹凯
  • 基于联合变换相关器的光电混合指纹识别技术

    漳州师范学院学报(自然科学版),1008-7826,2005-03-25.
    袁怡圃;赖虹凯