Patent


申请号
CN201510219302.2
专利链接
http://www.soopat.com/Patent/CN201510219302
专利名称
紫外半导体发光器件及其制造方法
英文名称
Ultraviolet semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof
申请日
2015-04-30
主分类号
H01L33/40
分类号
H01L33/40; H01L33/00
申请人
南京大学
公告号
CN104810455B
当前法律状态
授权
专利有效性
有效
法律状态
法律状态公告日:20150729;法律状态:公开;描述信息:公开;法律状态公告日:20150826;法律状态:实质审查的生效;描述信息:实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/40;  申请日:20150430;法律状态公告日:20170707;法律状态:授权;描述信息:授权;
专利类型
发明授权
公告日
2017-07-07
专利代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
王锋
地址
210093 江苏省南京市汉口路22号
优先权
国省代码
中国
摘要
本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极,所述p型层上还依次设有石墨烯‑Ag纳米复合层和导电反射层,所述石墨烯‑Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。进一步的,所述石墨烯‑Ag纳米复合层包括:形成于p型层上的Ag纳米材料层,所述Ag纳米材料层包含Ag纳米点和/或Ag纳米线以及覆盖在所述Ag纳米材料层上的石墨烯薄膜;或者,石墨烯量子点负载Ag纳米粒子复合体层。本发明的半导体发光器件具有外部量子效率高、出光效率高、开启电压低、散热性好、稳定性高等优点,且制备工艺简单可控,成本低廉,适于工业化生产。
主权项
一种紫外半导体发光器件,包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极,其特征在于所述p型层上还依次设有石墨烯-Ag纳米复合层和导电反射层,所述石墨烯-Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。
发明人
周玉刚; 余显正; 张荣
inpadoc同族
厦大机构
更新时间
20171214
摘要_en
The invention discloses an ultraviolet semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof. The device comprises an epitaxial layer composed of an n-type layer, a quantum well layer and a p-type layer, a p-type electrode and an n-type electrode. The p-type layer is further provided with a graphene-Ag nanocomposite layer and a conductive reflecting layer sequentially, and the graphene-Ag nanocomposite layer and the p-type layer are in ohmic contact. Furthermore, the graphene-Ag nanocomposite layer includes an Ag nano material layer formed on the p-type layer, and the Ag nano material layer comprises Ag nano points and/or Ag nano lines and a graphene film covering the Ag nano material layer; or, graphene quantum points load an Ag nanoparticle composite layer. The device has the advantages of high external quantum efficiency, high light emitting efficiency, low start voltage, fine heat radiation and high stability, the manufacturing process is simple and controllable, cost is low, and the device is adaptive to industrial production.

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