Patent


申请号
CN201510150620.8
专利链接
http://www.soopat.com/Patent/CN201510150620
专利名称
基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管
英文名称
Based on graphene carbon nanotube composite absorption layer of the infrared detection transistor
申请日
2015-03-31
主分类号
H01L31/113
分类号
H01L31/113; H01L31/028; H01L31/18
申请人
南京大学
公告号
CN104766902B
当前法律状态
授权
专利有效性
有效
法律状态
法律状态公告日:20150708;法律状态:公开;描述信息:公开;法律状态公告日:20150805;法律状态:实质审查的生效;描述信息:实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/113;  申请日:20150331;法律状态公告日:20170412;法律状态:授权;描述信息:授权;
专利类型
发明授权
公告日
2017-04-12
专利代理机构
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249
代理人
陈建和
地址
210093 江苏省南京市汉口路22号
优先权
国省代码
中国
摘要
本发明提供了一种基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管。该晶体管包括自下而上依次设置的栅极金属层、衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层;所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层由至少一层石墨烯层和至少一层碳纳米管层组成,并且,至少一层石墨烯层与所述栅极介质层接触,所述石墨烯层的两端分别设有源极、漏极,所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层中的碳纳米管层设于所述源极、漏极之间,且所述碳纳米管层不与所述源极、漏极接触。本发明提供的红外光探测晶体管对红外光敏感,可应用于有线或无线通讯、感测和监控等领域。
主权项
一种基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管,其中,该晶体管包括自下而上依次设置的栅极金属层、衬底、栅极介质层、石墨烯?/?碳纳米管复合吸收层;所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层由至少一层石墨烯层和至少一层碳纳米管层组成;并且,至少一层石墨烯层与所述栅极介质层接触,所述石墨烯层的两端分别设有源极、漏极,所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层中的碳纳米管层设于所述源极、漏极之间,且所述碳纳米管层不与所述源极、漏极接触;所述碳纳米管层的厚度为?1-20nm;其中,所述碳纳米管层中的碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管、金属性碳纳米管、半导体性碳纳米管中的一种或几种的组合;其中,所述源极与所述漏极分别包括至少两层金属,并且,其最下层金属与所述石墨烯层接触;所述源极和所述漏极的厚度分别为?20-100nm,单层金属层的厚度至少为?3nm。
发明人
王枫秋; 刘远达; 黎遥; 徐永兵; 张荣
inpadoc同族
厦大机构
更新时间
20171214
摘要_en
The invention provides an infrared light detecting transistor based on a graphene carbon nano tube composite absorption layer. The transistor comprises a grid electrode metal layer, a substrate, a grid electrode medium layer and a graphene/carbon nano tube composite absorption layer which are sequentially arranged from top to bottom. The graphene/carbon nano tube composite absorption layer is composed of at least one graphene layer and at least one carbon nano tube layer. In addition, the at least one graphene layer is in contact with the grid electrode medium layer. The two ends of the graphene layer are provided with a source electrode and a drain electrode respectively. The carbon nano tube layer in the graphene/carbon nano tube composite absorption layer is arranged between the source electrode and the drain electrode. The carbon nano tube layer is not in contact with the source electrode and the drain electrode. The infrared light detecting transistor is sensitive to infrared light, and is applicable to the fields such as wire or wireless communication, sensing and monitoring.

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