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C-Papers (21)

2015
  • 1. KrF脉冲激光退火制备锐钛矿TiO_2薄膜. 量子电子学报, 2015, 06
  • 2. 结合雪崩和PIN特性的4H-SiC紫外光电探测器的模拟. 中国新通信, 2015, 7
2014
  • 1. 4H-SiC基紫外光电探测器研究进展. 量子电子学报, 2014, 4
2011
  • 1. 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟. 量子电子学报, 2011, 6
  • 2. 半导体光电结构材料及其应用. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 2
2010
  • 1. 高灵敏表面光伏谱前置放大器的研制. 实验技术与管理, 2010, 2
2009
  • 1. 金属硅的酸洗和氧化提纯 . 厦门大学学报(自然科学版) , 2009, 4
2008
  • 1. RF磁控溅射功率对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响. 光电子.激光, 2008, 12
  • 2. RF磁控溅射制备AZO透明导电薄膜及其性能(英文). 半导体学报, 2008, 12
  • 3. 4H-SiC基底Al_2O_3/SiO_2双层减反射膜的设计和制备. 光学学报, 2008, 12
  • 4. InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究. 半导体光电, 2008, 06
  • 5. 基于小波变换和神经网络的PCB检测. 微计算机信息, 2008, 27
  • 6. 基于SXK-2005的中央空调的节能实训. 微计算机信息, 2008, 22
  • 7. InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响. 半导体光电, 2008, 03
  • 8. 氩气压强对射频磁控溅射ZnO∶Al薄膜结构和性能的影响. 光谱实验室, 2008, 03
  • 9. 一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制. 半导体学报, 2008, 03
2007
  • 1. 用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究. 量子电子学报, 2007, 06
  • 2. 基于Labview的紫外光探测器自动化测试与分析系统. 半导体光电, 2007, 05
  • 3. 不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1
  • 4. InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质. 半导体光电, 2007, 02
  • 5. 吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器. 半导体学报, 2007, 02



Patents (8)

  • 1. 一种雪崩光电二极管
  • 【Application Number】
  • CN201220112236.0
  • 【Application Date】
  • 2012-03-22
  • 【Patent Number】
  • CN202487594U
  • 【Publication Date】
  • 2012-10-10
  • 【Inventors】
  • 洪荣墩; 吴正云; 陈主荣; 蔡加法; 陈厦平
  • 【Abstract】
  • 一种雪崩光电二极管,涉及半导体光电二极管探测器件。提供一种具有超高紫外可见比的光控击穿电压亚微米柱紫外雪崩光电二极管。设有高掺杂N+型衬底,在高掺杂N+型衬底上表面设有N-层,在N-层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层,在N-层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层,在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层,在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层,在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极,在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。
  • 2. 一种二氧化钛紫外光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN201010150438.X
  • 【Application Date】
  • 2010-04-16
  • 【Patent Number】
  • CN101820016B
  • 【Publication Date】
  • 2012-02-01
  • 【Inventors】
  • 吴正云; 黄火林
  • 【Abstract】
  • 一种二氧化钛紫外光电探测器的制备方法,涉及一种半导体光电探测器件。提供一种器件暗电流较小的二氧化钛紫外光电探测器及其制备方法。探测器采用金属-半导体-金属结构,从下到上包括一层绝缘衬底,利用磁控溅射技术在绝缘衬底上沉积的多晶TiO2薄膜,用磁控溅射或电子束蒸发技术在TiO2薄膜上制备的叉指金属电极。采用优化溅射工艺参数沉积高质量多晶TiO2薄膜,沉积的薄膜具有理想的化学配比,高的致密度和结晶度。利用该薄膜为基体制备的MSM结构紫外探测器具有响应度高,暗电流小,紫外可见抑制比高等优点。制备过程简单,成本低,若在Si基衬底上制作,则可与成熟的Si工艺兼容,有利于光电集成,容易产业化。
  • 3. 4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200610135353.8
  • 【Application Date】
  • 2006-12-20
  • 【Patent Number】
  • CN100463232C
  • 【Publication Date】
  • 2009-02-18
  • 【Inventors】
  • 吴正云; 朱会丽; 陈厦平
  • 【Abstract】
  • 4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法,涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益,对可见光与红外光不敏感,可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测器设有n+型4H-SiC衬底,在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层,器件表面设钝化膜,外延层上设p电极,p电极上设焊盘,衬底背面设n电极。制备时外延片标准清洗,制备所有台面,再制备氧化层,氧化层作为芯片的钝化层;光刻p电极区,腐蚀掉电极图形处的氧化层,溅射Ti/Al/Au作为p电极接触金属,衬底背面形成n型欧姆接触。
  • 4. 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200710008768.3
  • 【Application Date】
  • 2007-03-30
  • 【Patent Number】
  • CN100447583C
  • 【Publication Date】
  • 2008-12-31
  • 【Inventors】
  • 吴正云; 张峰; 朱会丽
  • 【Abstract】
  • 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法,涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有n+型4H-SiC衬底,在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长SiO2层和Al2O3层,SiO2层厚度为d1=λ/2n1,Al2O3层厚度为d2=λ/4n2,λ为光波长,n1、n2为SiO2、Al2O3的折射率。制备时,清洗衬底;将蒸发源和衬底放入电子束蒸发设备的蒸发腔腔体;封闭蒸发腔腔体,抽真空,真空度至少3.0×10-3Pa;预熔蒸发源,同时通氧气,用电子束轰击蒸发源进行镀膜;对蒸发腔放气降温至室温,取出样品。
  • 5. δ掺杂4H-SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200610135372.0
  • 【Application Date】
  • 2006-12-23
  • 【Patent Number】
  • CN100438083C
  • 【Publication Date】
  • 2008-11-26
  • 【Inventors】
  • 吴正云; 陈厦平; 朱会丽; 卢嵩岳; 李凌
  • 【Abstract】
  • δ掺杂4H-SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法,涉及一种半导体光电探测器。提供一种δ掺杂SiC PIN结构紫外光电探测器及制法。在n+型SiC衬底上外延生长n+型缓冲层、n-型层I、δ掺杂n型层、n-型层II和p+型层,器件表面设钝化膜,在p+型层上设p电极,衬底背面设n电极。衬底用n+型4H-SiC衬底或其同质多型体。制备时刻蚀出外延片台面作为光敏面;热氧化生长氧化层作为钝化膜;在p+型层上制备p型电极;甩上光刻胶保护外延片p+型层上氧化层,去除n+型衬底上氧化层并沉积n型电极金属;将p型电极和n型电极退火形成欧姆接触;制备压焊区覆盖于p型欧姆接触电极一角;管芯划片压焊封装成管。
  • 6. 一种PIN结构4H-SiC紫外光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN200620156586.1
  • 【Application Date】
  • 2006-12-23
  • 【Patent Number】
  • CN201032635Y
  • 【Publication Date】
  • 2008-03-05
  • 【Inventors】
  • 卢嵩岳; 吴正云; 李凌; 陈厦平; 朱会丽
  • 【Abstract】
  • 一种PIN结构4H-SiC紫外光电探测器,涉及一种光电探测器,尤其是涉及一种探测波长为200~400nm的SiC PIN紫外光电探测器。提供一种可用于在很强的可见及红外光背景下检测紫外信号的碳化硅(SiC)PIN结构紫外光电探测器。设有n+型衬底,在n+型衬底上依次外延生长n型层、n-型层和p+型层,n+型衬底背面为n型欧姆接触电极,采用干法刻蚀工艺刻蚀一高度从表面p+型层到达n型层的器件隔离台阶,隔离台阶和p+型层表面覆盖氧化层,在p+型层表面的p型接触电极窗口处沉积p型欧姆接触电极,p型欧姆接触电极上一角覆盖金属Ti/Au层作为焊盘,覆盖氧化层的台面为器件的光敏面。
  • 7. 4H-SiC雪崩光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN200620156550.3
  • 【Application Date】
  • 2006-12-20
  • 【Patent Number】
  • CN201000897Y
  • 【Publication Date】
  • 2008-01-02
  • 【Inventors】
  • 吴正云; 朱会丽; 陈厦平
  • 【Abstract】
  • 4H-SiC雪崩光电探测器,涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益,对可见光与红外光不敏感,可直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H-SiC雪崩光电探测器。设有n+型4H-SiC衬底,衬底上从下到上生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层,吸收层为非故意掺杂的本征层或掺杂浓度1×1015/cm3~1×1016/cm3的轻掺杂层;倍增层掺杂浓度1×1016/cm3~1×1018/cm3,厚度为0.05~0.5μm;p+外延层掺杂浓度至少为1×1018/cm3,厚度为0.1~0.5μm。器件表面为钝化膜,在p+外延层上设p电极,p电极上设焊盘,衬底背面设n电极。
  • 8. 表面光伏谱前置放大器
  • 【Application Number】
  • CN200620156385.1
  • 【Application Date】
  • 2006-11-28
  • 【Patent Number】
  • CN200969566Y
  • 【Publication Date】
  • 2007-10-31
  • 【Inventors】
  • 蔡加法; 陈主荣; 吴正云
  • 【Abstract】
  • 表面光伏谱前置放大器,涉及一种前置放大器。提供一种小型、高性能、低成本、易于制作的高灵敏度、低截止频率表面光伏谱前置放大器。设有电荷放大器和电压放大器,在电荷放大器输入端与电压放大器输出端之间跨接反馈电阻,在电荷放大器输入端与输出端之间接反馈电容。主要采用高输入阻抗、低输入偏置电流、低噪声的带FET或CMOS输入的集成运算放大器,在反馈电阻和电荷放大器输出端之间插入电压放大级,不仅在不降低电路性能的前提下,可有效降低电路截止频率,提高电路灵敏度,其低频率截止频率fL(-3dB)≤2Hz,电荷-电压灵敏度Svq≥1V/pC;而且电路结构简单、体积小、成本低,易于小型化和多路集成。

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