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C-Papers (39)

2016
  • 1. 基于Ge浓缩技术和O_3氧化制备超薄GOI材料. 半导体光电, 2016, 05
2015
  • 1. 硅基自旋注入研究进展. 半导体技术, 2015, 9
  • 2. Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制. 传感技术学报, 2015, 5
  • 3. 硅基锗薄膜选区外延生长研究. 物理学报, 2015, 12
2014
  • 1. 图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5
  • 2. 铝分层诱导晶化非晶硅的研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5
  • 3. Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET. 半导体技术, 2014, 2
2013
  • 1. 硅基硒纳米颗粒的发光特性研究. 物理学报, 2013, 17
  • 2. 合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响. 半导体技术, 2013, 07
2012
  • 1. 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长. 物理学报, 2012, 7
  • 2. Si基外延Ge薄膜中残余应变的检测与分析. 光电子.激光, 2012, 9
  • 3. Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究. 光电子.激光, 2012, 5
  • 4. 高效GaAs/Si叠层电池设计优化. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 4
  • 5. 多孔SiGe/Si异质材料微腔的结构设计与制备. 闽江学院学报, 2012, 2
  • 6. 采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能. 物理学报, 2012, 18
  • 7. N型掺杂应变Ge发光性质. 物理学报, 2012, 3
  • 8. 快速热氧化制备超薄GeO_2及其性质. 半导体技术, 2012, 3
  • 9. 激光显微拉曼技术检测晶体管工作电流导致的器件自加热现象. 光散射学报, 2012, 1
2011
  • 1. 硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 6
  • 2. 采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜. 光电子.激光, 2011, 7
  • 3. Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展. 半导体光电, 2011, 3
  • 4. Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用. 物理学报, 2011, 9
  • 5. 循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究. 物理学报, 2011, 7
  • 6. Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究. 光电子.激光, 2011, 2
  • 7. 半导体光电结构材料及其应用. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 2
2010
  • 1. GaN基LED与Si键合技术的研究. 光电子.激光, 2010, 8
2009
  • 1. Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究 . 光电子.激光 , 2009, 8
  • 2. 真空高温脱O引起Si图形衬底形态变化的研究 . 光电子.激光 , 2009, 11
  • 3. Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 . 材料科学与工程学报 , 2009, 1
2008
  • 1. Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响. 固体电子学研究与进展, 2008, 04
  • 2. U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制. 光电子.激光, 2008, 07
  • 3. 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟(英文). 半导体学报, 2008, 05
  • 4. 硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析. 光电子.激光, 2008, 05
  • 5. P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计. 半导体学报, 2008, 04
  • 6. Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究. 半导体光电, 2008, 02
  • 7. UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层. 半导体学报, 2008, 02
2007
  • 1. 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征. 半导体学报, 2007, 12
  • 2. Si/SiGe量子级联激光器的能带设计. 物理学报, 2007, 07
  • 3. 激光全息法制备二维硅基图形衬底. 半导体学报, 2007, 05



Patents (9)

  • 1. 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310405028.9
  • 【Application Date】
  • 2013-09-09
  • 【Patent Number】
  • CN103441062B
  • 【Publication Date】
  • 2016-09-28
  • 【Inventors】
  • 李成; 卢卫芳; 黄诗浩; 林光杨; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法,涉及一种纳米材料。在SOI衬底上,用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构,用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列,利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形,刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层;利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化,从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料,简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。
  • 2. 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310383471.0
  • 【Application Date】
  • 2013-08-29
  • 【Patent Number】
  • CN103413788B
  • 【Publication Date】
  • 2016-03-09
  • 【Inventors】
  • 陈松岩; 亓东锋; 刘翰辉; 李成
  • 【Abstract】
  • 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法,涉及一种金属纳米晶存储器。1)通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状的结构;2)将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后,采用干法氧化方法,在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层;3)将步骤2)得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒;4)采用电子束蒸发工艺在步骤3)获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层,最后蒸镀上电极和下电极,获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。
  • 3. 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410183675.4
  • 【Application Date】
  • 2014-05-04
  • 【Patent Number】
  • CN103928562B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-06
  • 【Inventors】
  • 黄巍; 魏江镔; 陈松岩; 李成
  • 【Abstract】
  • 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法,涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层,再在锗层上生长SiO2覆盖层;2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面;3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽,通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区;4)沉积金属Ni层后热退火,利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极;5)引出器件电极,保护钝化层,即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单,可操作性强,极具应用价值。
  • 4. 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310383280.4
  • 【Application Date】
  • 2013-08-29
  • 【Patent Number】
  • CN103413787B
  • 【Publication Date】
  • 2015-01-28
  • 【Inventors】
  • 陈松岩; 亓东锋; 刘翰辉; 李成
  • 【Abstract】
  • 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法,涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状结构;将刻蚀后的Si片标准清洗后,采用干法氧化方法,在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层;在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点;以Au量子点为掩膜版,采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构;采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层,最后蒸镀金属上电极和下电极,获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
  • 5. 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210018656.7
  • 【Application Date】
  • 2012-01-20
  • 【Patent Number】
  • CN102569033B
  • 【Publication Date】
  • 2014-03-26
  • 【Inventors】
  • 黄凯; 李阳娟; 李成; 赖虹凯
  • 【Abstract】
  • 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法,涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后,退火,再对铝膜进行阳极氧化;去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点,即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列;对样品进行脱氧,即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀,纳米点尺寸和密度可控,且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在,有利于制备电学/光电器件。同时,工艺条件简单,不需要复杂设备,在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
  • 6. 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法
  • 【Application Number】
  • CN201010231280.9
  • 【Application Date】
  • 2010-07-17
  • 【Patent Number】
  • CN101916719B
  • 【Publication Date】
  • 2012-05-23
  • 【Inventors】
  • 李成; 吴政; 赖虹凯; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法,涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗;将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层,再进行光刻,然后去除二氧化硅层,得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底;将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中,先在N型锗衬底正面沉积TaN层,然后在TaN层上沉积单质金属层,再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。
  • 7. 一种Si基微纳发光材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810070671.X
  • 【Application Date】
  • 2008-02-27
  • 【Patent Number】
  • CN101246943B
  • 【Publication Date】
  • 2010-10-13
  • 【Inventors】
  • 陈松岩; 周笔; 潘书万; 李成; 赖虹凯
  • 【Abstract】
  • 一种Si基微纳发光材料的制备方法,涉及一种Si基微纳发光材料,尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质,实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex(0<x<1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m,n表示对应材料的原子层数,m≤30,n≤15);在生长后的样品背面溅射金属电极;用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀;腐蚀后的样品经冲洗,烘氮气吹干或烘干,即得目标产物。
  • 8. 一种锗量子点的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071934.9
  • 【Application Date】
  • 2008-10-14
  • 【Patent Number】
  • CN101388324B
  • 【Publication Date】
  • 2010-06-09
  • 【Inventors】
  • 张永; 李成; 廖凌宏; 陈松岩; 赖虹凯; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种锗量子点的制备方法,涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上,生长一层SiGe合金层,Ge组分大于0,小于等于0.5;将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗,清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层,氧化物为SiO2和GeO2的混合物;将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧,得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度,小于SiGe的熔点。
  • 9. 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200710008498.6
  • 【Application Date】
  • 2007-01-26
  • 【Patent Number】
  • CN100447950C
  • 【Publication Date】
  • 2008-12-31
  • 【Inventors】
  • 李成; 蔡坤煌; 张永; 赖虹凯; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法,涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法,尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上,用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层,在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层,Ge组分小于0.2,厚度在临界厚度以下;将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化,在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层,Ge组分大于0.3;将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。

Books & Chapters (1)

  • 1. 第八章 硅基光电探测器//硅光子学.(专著).科学出版社, 2011