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C-Papers (4)

2016
  • 1. 高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨. 发光学报, 2016, 05
2013
  • 1. 高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展. 物理学进展, 2013, 02
2012
  • 1. 高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 1
2011
  • 1. MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征. 厦门理工学院学报, 2011, 3



Patents (2)

  • 1. 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN201310461747.2
  • 【Application Date】
  • 2013-09-30
  • 【Patent Number】
  • CN103474503B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-20
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 黄凯; 陈雪; 林伟; 李书平; 陈航洋; 杨旭; 李金钗
  • 【Abstract】
  • 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
  • 2. 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071176.0
  • 【Application Date】
  • 2008-06-04
  • 【Patent Number】
  • CN101289173B
  • 【Publication Date】
  • 2010-06-23
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 李金钗; 李书平; 杨伟煌; 陈航洋; 刘达艺
  • 【Abstract】
  • 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法,涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料;在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层,在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质,得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料,其中,每个生长周期的步骤为:生长带隙较宽的垒层,同时掺入受主杂质;生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层;生长非掺的带隙较窄的阱层;生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层;在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火,即得目标产物。

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