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C-Papers (1)

2009
  • 1. 不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工 . 物理化学学报 , 2009, 8



Patents (2)

  • 1. 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置
  • 【Application Number】
  • CN201010219037.5
  • 【Application Date】
  • 2010-07-07
  • 【Patent Number】
  • CN101880907B
  • 【Publication Date】
  • 2012-04-25
  • 【Inventors】
  • 田中群; 时康; 詹东平; 田昭武; 韩联欢; 汤儆
  • 【Abstract】
  • 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置,涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极,并与工件置于容器底部;刀具浸入溶液,启动电化学系统,在刀具表面生成刻蚀整平剂,将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度,再调控刻蚀整平剂液层厚度;驱动三维微驱动装置,将刀具不断地向工件逼近,调控工件表面与刀具之间的距离和平行度;将刀具向工件表面移动,使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触,直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。
  • 2. GaAs上微/纳光学元件制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200710008512.2
  • 【Application Date】
  • 2007-01-30
  • 【Patent Number】
  • CN100564241C
  • 【Publication Date】
  • 2009-12-02
  • 【Inventors】
  • 汤儆; 张力; 马信洲; 田昭武
  • 【Abstract】
  • GaAs上微/纳光学元件制备方法,涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单 且无需掩模光刻等复杂工艺,并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵 列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版,将石英微/纳光学元件上的浮 雕结构精确复制到高分子材料表面,并依次溅射Ti层和Pt层,表面金属化得模板电极;将 模板电极作为工作电极,调节模板电极与被加工工件GaAs片平行;将电化学刻蚀溶液加入 电解池,在模板电极上产生刻蚀剂,利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级 或者纳米级厚度;控制GaAs片向模板电极表面移动,直至模板电极上的结构全部复制于被 加工工件表面,控制两者分离。

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