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  • 1. 电化学沉积制备形状可控的氧化亚铜微/纳米晶体的方法
  • 【Application Number】
  • CN200510135861.1
  • 【Application Date】
  • 2005-12-20
  • 【Patent Number】
  • CN100389230C
  • 【Publication Date】
  • 2008-05-21
  • 【Inventors】
  • 张淑红; 马艳芸; 谢兆雄; 郑兰荪
  • 【Abstract】
  • 电化学沉积制备形状可控的氧化亚铜微/纳米晶体的方法,涉及一种氧化亚铜晶体,尤其是涉及一种通过电化学沉积制备μm或纳米级的形状可控的Cu2O晶体的方法。提供一种不需要表面活性剂,在无支持电解质的条件下于室温下用电化学沉积法直接在导电基体上制备形状可控的Cu2O微/纳米晶体的方法。其步骤为导电基体预处理,配制电解质溶液,恒电流电化学沉积,在基体上得到形状可控的Cu2O微/纳米晶体。在室温下使用简单的恒电流电沉积方法,不需要任何支持电解质,不添加表面活性剂,通过改变电解质溶液浓度和电化学参数得到形状可控的Cu2O微/纳米晶体,得到的主要形貌有:八面体、削角八面体、削角立方体、立方体。

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