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C-Papers (21)

2016
  • 1. 高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨. 发光学报, 2016, 05
2015
  • 1. Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 02
  • 2. 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极结构的AlGaN基紫外LEDs设计. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 4
  • 3. 应变AlN表面生长动力学. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 3
2014
  • 1. 六边形LED芯片的出光效率模拟研究. 真空电子技术, 2014, 2
2013
  • 1. 高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展. 物理学进展, 2013, 02
2012
  • 1. 基于LabVIEW的外延片光致发光扫描系统. 光子学报, 2012, 7
  • 2. 用于短波段发光二极管的二维光子晶体禁带研究. 光学学报, 2012, 6
  • 3. 高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 1
2011
  • 1. ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 6
  • 2. MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征. 厦门理工学院学报, 2011, 3
  • 3. 半导体光电结构材料及其应用. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 2
  • 4. GaN薄膜的椭偏光谱研究. 半导体技术, 2011, 11
2010
  • 1. Si(001)衬底上闪锌矿ZnO的制备与分析. 发光学报, 2010, 2
2009
  • 1. 不同结构参数氮化镓基发光二极管芯片出光的蒙特卡罗方法模拟 . 厦门大学学报(自然科学版) , 2009, 3
  • 2. 热力学定律与数学不等式 . 大学物理 , 2009, 8
2007
  • 1. AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1
  • 2. GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1
  • 3. 具有缺陷态的二维光子晶体通讯波长滤波器的结构优化设计. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1
  • 4. GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文). 发光学报, 2007, 01
  • 5. InGaN量子阱的微观特性(英文). 发光学报, 2007, 01



Patents (6)

  • 1. 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201610033401.6
  • 【Application Date】
  • 2016-01-19
  • 【Patent Number】
  • CN105480942B
  • 【Publication Date】
  • 2016-11-23
  • 【Inventors】
  • 黄胜利; 余彬彬; 赵瑞胜; 李定国; 刘璟; 李书平; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法,涉及纳米微球。利用搭建的单层密排纳米微球阵列制备装置,把基片按一定位置和方向安置到装置中,通过水的浮力和表面活性剂的作用让纳米微球单层密排在水面上,缓慢平移一套装有待排列纳米微球阵列的第二基片夹支架,将第二基片置于水面单层密排纳米微球区域正下方,再缓慢排水以让纳米微球阵列转移到基片表面,并通过退火以让纳米微球阵列密排在基片上。装置成本低廉、结构简单、操作简便、对液面扰动小。所形成的纳米微球阵列除了本身二维结构特性应用,还可作为纳米微球模板用于制备更精细结构的大面积二维纳米球壳阵列、二维纳米颗粒阵列及二维异质结纳米薄层阵列,适用于纳米科学、纳米加工工程等领域。
  • 2. 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN201310461747.2
  • 【Application Date】
  • 2013-09-30
  • 【Patent Number】
  • CN103474503B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-20
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 黄凯; 陈雪; 林伟; 李书平; 陈航洋; 杨旭; 李金钗
  • 【Abstract】
  • 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
  • 3. 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极
  • 【Application Number】
  • CN201210319019.3
  • 【Application Date】
  • 2012-08-31
  • 【Patent Number】
  • CN102820398B
  • 【Publication Date】
  • 2015-05-27
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 杨旭; 李金钗; 李书平
  • 【Abstract】
  • 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极,涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应,改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底;分布式布拉格反射结构设在半导体基底上,分布式布拉格反射结构为多层介质,所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆;所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
  • 4. 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310215286.0
  • 【Application Date】
  • 2013-06-03
  • 【Patent Number】
  • CN103296141B
  • 【Publication Date】
  • 2015-05-13
  • 【Inventors】
  • 黄胜利; 杨倩倩; 李书平; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法,涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤;一个沉积ZnO薄膜的步骤;一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀;然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线,得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比,该结构材料拥有异质结界面,可通过改变材料成分调节能带结构,并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积,非常适用于太阳能电池及光催化领域。
  • 5. 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
  • 【Application Number】
  • CN201210026594.4
  • 【Application Date】
  • 2012-02-07
  • 【Patent Number】
  • CN102590559B
  • 【Publication Date】
  • 2013-10-09
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 李孔翌; 蔡端俊; 杨旭; 李书平; 詹华瀚; 李恒; 陈晓航
  • 【Abstract】
  • 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法,涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台,采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区,选取待测纳米结构,光纤定位,双探针定位,高能量分辨率电注入发光测试,高空间分辨率载流子选择性注入测试。
  • 6. 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071176.0
  • 【Application Date】
  • 2008-06-04
  • 【Patent Number】
  • CN101289173B
  • 【Publication Date】
  • 2010-06-23
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 李金钗; 李书平; 杨伟煌; 陈航洋; 刘达艺
  • 【Abstract】
  • 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法,涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料;在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层,在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质,得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料,其中,每个生长周期的步骤为:生长带隙较宽的垒层,同时掺入受主杂质;生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层;生长非掺的带隙较窄的阱层;生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层;在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火,即得目标产物。

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