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C-Papers (1)

2012
  • 1. 磁场对中微子主导吸积盘粒子丰度的影响. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 1



Patents (1)

  • 1. 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310030135.8
  • 【Application Date】
  • 2013-01-27
  • 【Patent Number】
  • CN103137799B
  • 【Publication Date】
  • 2015-03-04
  • 【Inventors】
  • 蔡端俊; 陈小红; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法,涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡-补偿插层方法,在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理,有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应,以获得超陡峭、对称界面,使量子阱更为接近方势阱,增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡-补偿对层的插入,在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35%以上,克服了不同界面陡峭度的不对称性,大大提高了异质界面的质量,并使超晶格发光效率得到有效提升。

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