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C-Papers (37)

2015
  • 1. 标准CMOS工艺下高速集成大光敏面光电探测器芯片的研制. 光电子·激光, 2015, 8
  • 2. 集成大面积光电探测器接收芯片的优化设计(英文). 光子学报, 2015, 4
2014
  • 1. 基于BCD工艺的塑料光纤通信光接收机. 光学精密工程, 2014, 7
  • 2. 表面处理对低成本多晶硅太阳电池性能的影响. 半导体光电, 2014, 2
  • 3. 应用于塑料光纤通信接收芯片的集成光电探测器(英文). 光子学报, 2014, 3
2013
  • 1. 用于塑料光纤通信的Si基单片集成光接收芯片的研制. 光电子.激光, 2013, 11
  • 2. 低成本多晶硅太阳电池性能的模拟. 太阳能学报, 2013, 4
  • 3. UMG多晶硅片的少子寿命. 太阳能学报, 2013, 01
2012
  • 1. 晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用. 发光学报, 2012, 6
  • 2. 晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展. 材料导报, 2012, 11
2011
  • 1. 低成本多晶硅片表面织构的研究. 半导体光电, 2011, 6
  • 2. 采用CaO-SiO_2-CaF_2渣系去除硅中杂质硼(英文). Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2011, 6
  • 3. AZO/N--+-Si欧姆接触的研究. 半导体光电, 2011, 3
  • 4. 多晶硅太阳电池少子寿命的数值模拟. 太阳能学报, 2011, 9
  • 5. 白光LED用荧光材料Sr_3B_2O_6∶Eu--(3+),Na--+的制备及发光性能. 发光学报, 2011, 10
  • 6. 物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化. 半导体光电, 2011, 5
  • 7. 半导体光电结构材料及其应用. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 2
  • 8. 两步腐蚀法制备多晶硅绒面. 半导体光电, 2011, 2
  • 9. 电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用. 发光学报, 2011, 4
  • 10. 低成本多晶硅太阳电池光致衰减的研究. 闽江学院学报, 2011, 2
2010
  • 1. Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究. 半导体技术, 2010, 3
  • 2. 光收发器中光电集成接收芯片的实现. 半导体技术, 2010, 3
  • 3. 激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析. 物理学报, 2010, 2
  • 4. GaN基白光发光二极管失效机理分析. 物理学报, 2010, 7
  • 5. 光学头中单片光电集成硅基PDIC的设计. 半导体技术, 2010, 10
2009
  • 1. InP材料Zn扩散的新方法 . 功能材料 , 2009, 3
  • 2. 标准CMOS工艺下单片集成光接收芯片的研究 . 半导体光电 , 2009, 1
  • 3. 退火对NiCr薄膜阻值的影响分析 . 华侨大学学报(自然科学版) , 2009, 1
  • 4. 多晶硅冶金法除磷的研究进展 . 材料导报 , 2009, 19
  • 5. 高纯冶金硅除硼的研究进展 . 材料导报 , 2009, 23
  • 6. 金属硅的酸洗和氧化提纯 . 厦门大学学报(自然科学版) , 2009, 4
2008
  • 1. Si N~+/P/P~+太阳电池的数值模拟与分析. 太阳能学报, 2008, 10
  • 2. SiN_x薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用. 功能材料, 2008, 09
  • 3. InP基单片集成光接收机的研究与进展. 半导体光电, 2008, 03
  • 4. InGaAs/InP APD探测器光电特性检测. 电子科技大学学报, 2008, 03
  • 5. SiO_2微球腔形貌相关谱的识别指认与分析. 集美大学学报(自然科学版), 2008, 02
  • 6. 用850nm收发器实现光纤到户. 安徽师范大学学报(自然科学版), 2008, 01



Patents (33)

  • 1. 一种无稀土下转换太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201510458709.0
  • 【Application Date】
  • 2015-07-30
  • 【Patent Number】
  • CN105070777B
  • 【Publication Date】
  • 2017-01-11
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 郑将辉; 蔡丽晗; 杨星
  • 【Abstract】
  • 本发明公开了一种无稀土下转换太阳能电池及其制备方法,该无稀土下转换太阳能电池从下到上依次设置有铝背电极层、P型硅层、N+型硅层、铝或银栅线电极,硅金字塔绒面层以及纳米下转换颗粒层,所述纳米下转换颗粒层的纳米颗粒为纳米钒酸盐。该无稀土下转换太阳能电池的制备方法包括:1)通过水热法、溶胶凝胶法、共沉淀法制备纳米钒酸盐;2)通过有机溶剂分散纳米颗粒;3)通过提拉法、旋涂法将纳米颗粒涂覆在硅金字塔绒面表面以形成纳米下转换颗粒层;4)在一定温度下,将样品电池在恒温干燥箱中烘干。该无稀土下转换太阳能电池具有光电转换效率高、工艺简单且成本低的优点。
  • 2. 一种硼酸盐荧光粉基质及荧光粉的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410319936.0
  • 【Application Date】
  • 2014-07-08
  • 【Patent Number】
  • CN104059640B
  • 【Publication Date】
  • 2016-09-28
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 郑将辉; 蔡丽晗; 应莉莉; 陈文志; 陈蓉; 范宝殿
  • 【Abstract】
  • 本发明公开了一种近紫外激发稀土硼酸盐荧光粉基质及荧光粉制备方法,该硼酸盐荧光粉的通式为NaBaBO3:xRe,yM(亦即BaNaBO3:xRe,yM)。其中,NaBaBO3(亦即BaNaBO3)硼酸盐为发光基质,Re为掺杂的稀土发光中心,M为辅助掺杂元素。本发明荧光粉制备工艺简单,通过在该基质中掺杂不同稀土元素,可以得到在近紫外激发下,在各个光谱区域有强烈发射的荧光材料。本发明制备方法简单,易于操作,无污染,成本低。其可以应用于紫光激三基色白光LED荧光粉、下转换太阳能电池荧光粉以及各种显示装置中,还可作为近紫光激发的下转换荧光材料用于促进农作物生长的农膜。
  • 3. 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310289506.4
  • 【Application Date】
  • 2013-07-11
  • 【Patent Number】
  • CN103334155B
  • 【Publication Date】
  • 2016-06-29
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 范宝殿; 蔡丽晗; 陈蓉
  • 【Abstract】
  • 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法,涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层,所述中间带层位于硅层上表面,中间带层的深度为0.2~1.0μm,注入浓度为6×1019-1×1022cm-3,中间带层的波长范围为1~3μm,红外光的吸收系数超过1×104~1×105cm-1,中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5~20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜;把带有钛薄膜的硅片用激光辐照;把激光辐照后的硅片进行退火处理;将退火后的硅片进行腐蚀,制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度,可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。
  • 4. 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片
  • 【Application Number】
  • CN201410213806.9
  • 【Application Date】
  • 2014-05-20
  • 【Patent Number】
  • CN103972247B
  • 【Publication Date】
  • 2016-06-01
  • 【Inventors】
  • 程翔; 范程程; 陈朝; 史晓凤; 郑明; 徐攀
  • 【Abstract】
  • 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片,涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路;所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层;硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路,互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器,互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端,限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成,可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。
  • 5. 一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310726455.7
  • 【Application Date】
  • 2013-12-25
  • 【Patent Number】
  • CN103681900B
  • 【Publication Date】
  • 2016-05-04
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 陈蓉; 范宝殿
  • 【Abstract】
  • 一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法,涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅,在晶体硅中掺杂Ni杂质,Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm-3,掺杂Ni杂质形成杂质中间带。使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜;使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照;用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后,得Ni掺杂晶硅中间带材料。Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收,提高少子寿命,使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率,减少电池的发热,提高电池效率,成本低,制作快速简便。
  • 6. 一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410081674.9
  • 【Application Date】
  • 2014-03-07
  • 【Patent Number】
  • CN103865530B
  • 【Publication Date】
  • 2015-10-21
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 应莉莉; 蔡丽晗; 郑将辉; 郑淞生
  • 【Abstract】
  • 本发明公开了一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法,其组合配比的通式为:Sr2-2xB2O5 : xEu3+, xNa+,其中0.01≤x≤0.20;其制备方法包括如下步骤:(1)根据所述组合配比通式称取各原料组分;(2)将各原料组分充分混合均匀,经第一次研磨和第一次过筛得颗粒均匀的细粉;(3)将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨和第二次过筛,即得所述红色荧光粉。本发明的红色荧光粉能够被近紫外线激发,可以用于增加传统LED中的红光成分;还可以用于制备单晶硅电池,增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应,提高晶硅电池效率;本发明的制备方法采用高温固相合成方法,加热温度低,能耗少;使用的设备单一,设备投资少,工艺简单,成本低廉。
  • 7. 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310019710.4
  • 【Application Date】
  • 2013-01-18
  • 【Patent Number】
  • CN103094394B
  • 【Publication Date】
  • 2015-10-07
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 蔡丽晗; 王荣; 范宝殿; 程浩然; 任先培; 郑将辉
  • 【Abstract】
  • 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1)将有机玻璃倒入有机溶剂中,静置,使有机玻璃溶解后加入荧光粉,得均匀透明的下转换荧光材料浆料;2)用胶布贴在晶体硅电池的主栅上,将步骤1)得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上,再撕去胶布,在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜;3)将样品电池烘烤,再放在空气中冷却至室温,即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少,工艺流程短,无污染,可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。
  • 8. 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310325139.9
  • 【Application Date】
  • 2013-07-30
  • 【Patent Number】
  • CN103401614B
  • 【Publication Date】
  • 2015-09-23
  • 【Inventors】
  • 程翔; 史晓凤; 陈朝; 范程程
  • 【Abstract】
  • 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法,涉及光发射芯片。芯片设有基底、光发射驱动电路和光源谐振腔光发射二极管;驱动电路设在基底上表面左半侧,在驱动电路左侧设有3个焊盘,在驱动电路右侧设有2个焊盘,在基底上表面右侧部分设有预留焊盘,右下焊盘与预留焊盘之间通过导线连接;二极管阴极端面通过银浆粘在预留焊盘上,阳极通过键合线与右上焊盘连接。在硅基底上左半侧形成光发射驱动电路,在驱动电路上左侧形成3个焊盘;在驱动电路右侧形成2个焊盘;在基底上右侧部分进行淀积金属铝板形成预留焊盘;在右下焊盘和预留焊盘之间相连;在预留焊盘上点上银浆,将二极管阴极端面粘在焊盘上,将二极管阳极接驱动电路右上焊盘上。
  • 9. 一种近紫外激发的硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410081670.0
  • 【Application Date】
  • 2014-03-07
  • 【Patent Number】
  • CN103788943B
  • 【Publication Date】
  • 2015-09-09
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 郑将辉; 应莉莉; 蔡丽晗; 陈蓉; 范宝殿
  • 【Abstract】
  • 本发明公开了一种近紫外激发的硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法,其组合配比的通式为:Sr2-2xClO3:xTm3+, xLi+,其中0≤x≤0.2;其制备方法包括如下步骤:(1)根据所述组合配比通式称取各原料组分;(2)将各原料组分充分混合均匀并经第一次研磨得颗粒均匀的细粉;(3)将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨,即得所述硼酸盐蓝色荧光粉。本发明的硼酸盐蓝色荧光粉能够被358nm的近紫外线激发,且在457nm有蓝光发射,可以用于近紫外激发的三基色荧光粉系统;还可以用于制备单晶硅电池,增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应。提高晶硅电池效率;本发明的制备方法采用高温固相合成方法,加热温度低,能耗少;使用的设备单一,设备投资少,工艺简单,成本低廉,且产品性能稳定。
  • 10. 一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路
  • 【Application Number】
  • CN201310324878.6
  • 【Application Date】
  • 2013-07-30
  • 【Patent Number】
  • CN103347351B
  • 【Publication Date】
  • 2015-07-01
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 史晓凤; 程翔; 范程程
  • 【Abstract】
  • 一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路,涉及一种光发射芯片。设有输入缓冲器、预驱动放大电路、主驱动放大电路、温度补偿电路和参考电压产生电路;缓冲器输出端经预驱动放大电路接主驱动放大电路输入端,主驱动放大电路的一个输出端经第1电阻接电源,主驱动放大电路另一个输出端经第2电阻接光源谐振腔光发射二极管的阴极;参考电压产生电路设有7个输出端,其中,4个参考电流输出端分别接输入缓冲器、预驱动放大电路和主驱动放大电路;3个参考电压输出端中的1个参考电压输出端作为输入缓冲器和预驱动放大电路的电源电压,另2个参考电压输出端接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端接主驱动放大电路的一端。
  • 11. 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片
  • 【Application Number】
  • CN201210345432.7
  • 【Application Date】
  • 2012-09-18
  • 【Patent Number】
  • CN102856324B
  • 【Publication Date】
  • 2014-12-10
  • 【Inventors】
  • 程翔; 史晓凤; 李继芳; 陈朝; 潘江炳; 颜黄苹; 卞剑涛
  • 【Abstract】
  • 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片,涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片,该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片,实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成,可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求,用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm?BCD工艺制备。
  • 12. 一种用激光提纯多晶硅片的方法
  • 【Application Number】
  • CN201110202745.2
  • 【Application Date】
  • 2011-07-19
  • 【Patent Number】
  • CN102275932B
  • 【Publication Date】
  • 2013-05-08
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 庞爱锁
  • 【Abstract】
  • 一种用激光提纯多晶硅片的方法,涉及多晶硅片。提供一种效率较高、工艺简单、污染较小的用激光提纯多晶硅片的方法。将多晶硅片清洗、烘干后,放置加热平台上进行预热;用激光对预热后的多晶硅片进行辐照;使激光对多晶硅片进行辐照扫描处理;对多晶硅片进行退火处理;刻蚀多晶硅片表层部分,得到目标产品。质谱分析表明,可一次将多晶硅片中部分区域的铁含量降低2~3个数量级;提纯后可直接应用于太阳电池等应用。直接加工低纯度的多晶硅片,减少硅产业中低纯度硅的重新回收加工。可大批量连续生产。通过激光熔化硅片再凝固也可以降低多晶硅片中磷的含量。
  • 13. 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法
  • 【Application Number】
  • CN201110134292.4
  • 【Application Date】
  • 2011-05-19
  • 【Patent Number】
  • CN102153090B
  • 【Publication Date】
  • 2012-12-12
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 郑兰花; 潘淼; 李艳华; 杨倩; 徐进
  • 【Abstract】
  • 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法,涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单,适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗,烘干;将得到的硅片在700~1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理,然后冷却硅片;将得到的硅片浸泡在HF溶液中;将得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层,清洗后吹干,烘烤,得硼吸杂后的多晶硅片。
  • 14. 一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法
  • 【Application Number】
  • CN201110131546.7
  • 【Application Date】
  • 2011-05-19
  • 【Patent Number】
  • CN102153089B
  • 【Publication Date】
  • 2012-06-27
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 郑兰花; 潘淼; 李艳华; 杨倩; 徐进
  • 【Abstract】
  • 一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法,涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单,适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗,烘干;将得到的硅片在700~1200℃的温度下通入气体进行磷扩散吸杂热处理,然后冷却硅片;将得到的硅片浸泡在HF溶液中;将硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层,清洗后吹干,烘烤,得磷吸杂后的多晶硅片。
  • 15. 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法
  • 【Application Number】
  • CN201010177776.2
  • 【Application Date】
  • 2010-05-20
  • 【Patent Number】
  • CN101844768B
  • 【Publication Date】
  • 2012-06-27
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 何发林; 陈文辉; 庞爱锁; 罗学涛
  • 【Abstract】
  • 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼,再将造渣剂覆盖在块状硅料上,得硅块混料;对熔炼炉抽真空,当真空抽至800~1200Pa时停止抽气,再充氩气至8000~12000Pa后停止充氩气;将硅块混料加热融化,通入水蒸气,再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上,冷却后,取出硅料;将造渣后的硅料破碎磨粉,得硅粉;将硅粉用盐酸浸泡;将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡;将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡,得已去除磷和硼的冶金级硅。
  • 16. 一种多晶硅提纯装置及提纯方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112896.1
  • 【Application Date】
  • 2009-11-24
  • 【Patent Number】
  • CN101724900B
  • 【Publication Date】
  • 2012-05-23
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 陈文辉; 李锦堂; 龚惟扬; 沈晓杰; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 一种多晶硅提纯装置及提纯方法,涉及一种多晶硅。提供一种成本较低、效率较高的多晶硅提纯装置与提纯方法。装置设一、二次熔炼坩埚、一次造渣后盛渣坩埚和二次保温抬包。将硅与渣混匀放入一次熔炼坩埚中,将渣放入二次熔炼坩埚中加热至渣融化;一次熔炼坩埚中的物料融化后搅拌棒预热;反应后升起搅拌棒,加BaCO3;分层后将一次熔炼坩埚向右翻转浇铸,待绝大部分硅液流入二次熔炼坩埚直至开始有渣液流入后停止浇铸,向左翻转浇铸,将二次熔炼坩埚内的渣液倒入一次造渣后盛渣坩埚中凝固;搅拌棒预热,反应后升起搅拌棒,加BaCO3,分层后将二次熔炼坩埚向右翻转浇铸,将熔体全部倒入保温抬包中静置分层凝固;取出硅后粉磨酸洗,定向凝固。
  • 17. 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201010177758.4
  • 【Application Date】
  • 2010-05-20
  • 【Patent Number】
  • CN101872801B
  • 【Publication Date】
  • 2012-04-25
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 杨倩; 潘淼; 庞爱锁; 何发林; 李艳华; 武智平; 郑兰花; 罗学涛
  • 【Abstract】
  • 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法,涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后,再以三氯氧磷为源扩磷,然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层,得扩磷后的多晶硅片;在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形,再生长氧化锌掺铝薄膜,得样品;将样品浸泡在丙酮中,剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后,退火,得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触,通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最佳的比接触电阻,提高多晶硅太阳电池的光电转换效率,满足器件性能要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
  • 18. 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法
  • 【Application Number】
  • CN201010109835.2
  • 【Application Date】
  • 2010-02-09
  • 【Patent Number】
  • CN101870472B
  • 【Publication Date】
  • 2012-01-11
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 龚惟扬; 李锦堂; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及一种半导体材料工业硅。提供一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法。将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚;抽真空,启动中频感应电源加热,使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化;待石墨坩埚内物料全部熔化后,将坩埚上方的石墨通气棒预热;向体系中开始通入惰性气体,待预热充分后将通气棒开始通气搅拌;渣过程中,通过调整中频功率,使反应温度为1550~1850℃;待造渣充分后将通气棒升离坩埚,然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中,静置,冷却后取出硅锭,去除头尾杂质富集部分,得到提纯后的多晶硅锭,测量熔炼后的硼、磷杂质含量。
  • 19. 一种GaN基LED芯片的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112613.3
  • 【Application Date】
  • 2009-10-01
  • 【Patent Number】
  • CN101673793B
  • 【Publication Date】
  • 2011-12-28
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 薛正群; 黄生荣; 田洪涛
  • 【Abstract】
  • 一种GaN基LED芯片的制备方法,涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容,而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表面沉积一层金属Zn薄膜;用激光器辐照样品的Zn/P-GaN表面;将样品表面剩余的Zn腐蚀掉,清洗后烘干;对处理好的样品进行ICP刻蚀,露出n型GaN层,光刻并溅射Ti/Al金属层,剥离后形成n型电极,退火;对样品再次进行光刻并在表面溅射Ni/Au金属层,剥离后形成p型电极,退火。
  • 20. 一种测定高纯硅中磷含量的方法
  • 【Application Number】
  • CN201010109814.0
  • 【Application Date】
  • 2010-02-09
  • 【Patent Number】
  • CN101871883B
  • 【Publication Date】
  • 2011-12-14
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 陈文辉; 李锦堂; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 一种测定高纯硅中磷含量的方法,涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单,成本低廉,操作步骤标准化,检测限低,灵敏度以及精确度较高,适合于低磷含量硅检测,可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液;配制酸性显色液、2mol/LH2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液;绘制磷标准工作曲线;获得未被污染的硅样;依据样品的磷含量范围称取无污染样品;将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发;将溶解蒸发的样液进行显色操作;测试显色液的吸光度并计算磷含量。
  • 21. 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112909.5
  • 【Application Date】
  • 2009-12-03
  • 【Patent Number】
  • CN101719504B
  • 【Publication Date】
  • 2011-10-12
  • 【Inventors】
  • 颜黄苹; 程翔; 卞剑涛; 陈朝; 芦晶
  • 【Abstract】
  • 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
  • 22. 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112616.7
  • 【Application Date】
  • 2009-10-01
  • 【Patent Number】
  • CN101673782B
  • 【Publication Date】
  • 2011-07-20
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 潘淼; 庞爱锁; 武智平; 郑兰花; 罗学涛
  • 【Abstract】
  • 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法,涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5~6N)的硅材料,大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层;将进行磷吸杂处理并去除吸杂层后的冶金法多晶硅片通入带有水蒸汽的氧气进行湿氧氧化处理并去除氧化层;将进行湿氧氧化处理并去除氧化层后的冶金法多晶硅片按常规工艺制备电池,再将制备好的电池片退火。
  • 23. 用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112910.8
  • 【Application Date】
  • 2009-12-03
  • 【Patent Number】
  • CN101718897B
  • 【Publication Date】
  • 2011-05-11
  • 【Inventors】
  • 程翔; 陈朝; 颜黄苹; 李继芳
  • 【Abstract】
  • 用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法,提供一种与商业CMOS工艺兼容,可替代现有850nm光收发器中混合集成,可满足传输要求的用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法。光接收组件设850nm光电单片集成接收芯片、管座、管帽、管脚和适配器。芯片设前置放大电路和光电探测器,前者设2个互阻式放大电路、3级差分放大器、输出缓冲电路和直流负反馈电路。光电探测器的纵向自下而上是低掺杂的P型硅衬底;P阱;N型重掺杂硅层、场氧层和铝层;三层SiO2绝缘介质层;Si3N4表面钝化层。采用CMOS工艺将芯片贴片于管座上;将芯片的焊盘与管脚用金丝线键合连接;盖上管帽,与适配器按同轴封装。
  • 24. 一种太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪
  • 【Application Number】
  • CN201020197159.4
  • 【Application Date】
  • 2010-05-20
  • 【Patent Number】
  • CN201673125U
  • 【Publication Date】
  • 2010-12-15
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 李艳华; 庞爱锁; 潘淼; 何发林; 杨倩; 武智平; 郑兰花; 罗学涛
  • 【Abstract】
  • 一种太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪,涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、850nm滤波片、制冷式CCD相机、调节支架、图像采集卡、电脑和底座,太阳能电池板设在导热平台上,导热平台和调节支架安装在底座上,控温加热器设于导热平台下,控温加热器与太阳能电池板连接,控温加热器对设在导热平台上的太阳能电池板进行温度控制,滤波片安装在相机的镜头前,相机设在调节支架上,相机处在太阳能电池板上方,相机经图像采集卡与电脑连接。
  • 25. 一种开管锌扩散方法
  • 【Application Number】
  • CN200510129962.8
  • 【Application Date】
  • 2005-12-16
  • 【Patent Number】
  • CN100389483C
  • 【Publication Date】
  • 2008-05-21
  • 【Inventors】
  • 肖雪芳; 谢生; 陈朝; 陈良惠
  • 【Abstract】
  • 一种开管锌扩散方法,涉及一种化合物半导体外延片扩散方法,尤其是涉及一种以掺在有机硅胶中的锌一类金属作为扩散源,在开管通氮气氛围将锌一类杂质扩散到砷化镓化合物半导体外延片中的方法。提供一种新的开管锌扩散工艺。步骤为将锌粉掺入有机硅胶中,按质量比锌粉∶有机硅胶=1∶(1~2),得含锌的有机硅胶;在化合物半导体外延片上涂敷上一层含锌的有机硅胶作为扩散源,匀胶;在化合物半导体片上涂敷一层未含锌的有机硅胶作为防止锌挥发的屏蔽膜,匀胶后烘干;将所得的化合物半导体片以惰性气体为保护气体进行扩散,扩散温度为550~620℃;除去表面涂层,再去除还黏附的含锌的有机硅胶扩散源层,即得目标产物。
  • 26. CMOS硅双光电探测器及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200510118918.7
  • 【Application Date】
  • 2005-10-26
  • 【Patent Number】
  • CN100370619C
  • 【Publication Date】
  • 2008-02-20
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 卞剑涛
  • 【Abstract】
  • CMOS硅双光电探测器及其制备方法,涉及一种光电集成电路,尤其是涉及一种CMOS硅双光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2绝缘介质层(按制备顺序从下至上共3层)和Si3N4表面钝化层,其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上,场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅,金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
  • 27. 激光诱导下的氮化镓P型有效掺杂制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200310121093.5
  • 【Application Date】
  • 2003-12-24
  • 【Patent Number】
  • CN1241239C
  • 【Publication Date】
  • 2006-02-08
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 田洪涛
  • 【Abstract】
  • 涉及激光诱导下的GaN P-型有效掺杂制备方法。其步骤为在GaN样品表面淀积金属锌薄层,将Zn/GaN样品预热,用固体激光器辐照Zn/GaN样品的表面,将样品表面剩余的锌腐蚀掉,经去离子水清洗烘干。其设备便宜、方法简单、工艺兼容。在大气环境下进行,不需昂贵的高温炉和真空设备,仅需要淀积Zn的设备和激光辐照。淀积Zn和激光辐照工艺简便,不必进行复杂的MOCVD生长、离子注入、两种元素共同掺杂等技术,与常规的器件工艺兼容。P-型有效掺杂效果明显。
  • 28. 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200310121092.0
  • 【Application Date】
  • 2003-12-24
  • 【Patent Number】
  • CN1240610C
  • 【Publication Date】
  • 2006-02-08
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 田洪涛
  • 【Abstract】
  • 涉及一种激光诱导下GaN P-型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌,将Zn/GaN预热,激光辐照,用激光诱导方法掺Zn的样品表面上,淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属,光刻形成电极,退火。对中、强型p-型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p-型掺杂的GaN样品:当采用Ni/Au双层金属接触时,比接触电阻可达2.10×10-4Ωcm2;当采用Zn/Au双层金属接触时,比接触电阻可达4.75×10-4Ωcm2。能制备比接触电阻低p-GaN欧姆接触,且能在原有p-GaN的表面形成P+P高低发射结,有助于提高GaN基结型器件的注入效率。可用于GaN基材料的各种器件的P-型欧姆接触制备,可降低结型器件的正向工作电压,提高发光效率。
  • 29. InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺
  • 【Application Number】
  • CN02154606.1
  • 【Application Date】
  • 2002-11-25
  • 【Patent Number】
  • CN1188914C
  • 【Publication Date】
  • 2005-02-09
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 刘宝林
  • 【Abstract】
  • 涉及一种半导体器件,尤其是一种将光信号转换为电信号的InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺。为i-InP顶层/i-In0.53Ga0.47As光敏层/i-InP缓冲层/N+-InP衬底四层双异质结材料结构。在顶层中有P+锌扩散区,P+锌扩散区靠近i-In0.53Ga0.47As光敏层,但没有到达光敏层;工艺步骤为:在外延片上生长氧化铝钝化膜,以锌作为扩散源进行开管锌扩散;用直接蒸发的方法在InP材料上淀积高质量的氧化铝薄膜,暗电流降低,信噪比提高,容易制备、成本低廉、结构改进,可在较低温度下连续、简便进行开管锌扩散新工艺,以及此膜可用于InP材料钝化膜和锌扩散的屏蔽掩膜,也可用于InP材料的抗反射膜,提高探测器的性能。
  • 30. 用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99119122.6
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN1118159C
  • 【Publication Date】
  • 2003-08-13
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器,采用CSMA/CD方式,执行IEEE802.3u标准,设两块执行芯片U1、U2,光信号经光纤接口接光纤信号收发模块,收发模块的电转换输出经第一块执行芯片U1的解码—电阻组—第二块执行芯片U2的编码后,从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口,RJ45接口的发射端接耦合器,并经第二块执行芯片U2的解码—电阻组—第一块执行芯片U1的编码后,接收发模块,并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。
  • 31. 用于计算机以太网通信的10Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99119121.8
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN1111982C
  • 【Publication Date】
  • 2003-06-18
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、Tx端分别接耦合器,耦合器与AUI接口连接;SQE端接选择开关;工作状态输出端接工作状态显示器,Vin端和TxOUT端分别接PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps,不采用晶振和时钟定时器,抗干扰性强,工作稳定,成本低,用于计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间以及终端机之间的光互连。
  • 32. 用于计算机以太网通信的10Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99244573.6
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN2389446Y
  • 【Publication Date】
  • 2000-07-26
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、 Tx端分别接耦合器, 耦合器与AUI接口连接; SQE端接选择开关 工作状态输出端接工作状态显示器, Vin端和TxOUT端分别接 PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。 AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps, 不采用晶振和时钟定时器, 抗干扰性强, 工作稳定, 成本低, 用于 计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间 以及终端机之间的光互连。
  • 33. 用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99244574.4
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN2389447Y
  • 【Publication Date】
  • 2000-07-26
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光 纤收发器, 采用CSMA/CD方式, 执行IEEE 802.3u标准, 设两块执行芯片U1、U2, 光信号经光纤接口接光纤信号收发模块, 收发模块的电转换输出经U1的解码—电阻组—U2的编码后, 从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口, RJ45接口的发射端接耦合器, 并经U2的解码—电阻组—U1的编码后, 接收发模块, 并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。

Books & Chapters (1)

  • 1. Модификация Материалов Лазерными и Ионными Пучками.(专著).МИВП “ Унитех”, 1998