只显示第一或通讯作者 按发表时间排序

C-Papers (47)

2016
  • 1. 基于Ge浓缩技术和O_3氧化制备超薄GOI材料. 半导体光电, 2016, 05
2015
  • 1. 金属银诱导化学腐蚀制备三维多孔硅. 莆田学院学报, 2015, 5
  • 2. 多孔硅/铜复合负极材料的制备及其电化学性能. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 6
  • 3. 锂离子电池硅基负极材料的研究进展. 闽南师范大学学报(自然科学版), 2015, 2
  • 4. Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制. 传感技术学报, 2015, 5
  • 5. 硅基锗薄膜选区外延生长研究. 物理学报, 2015, 12
  • 6. 锂离子电池多孔硅/碳复合负极材料的研究. 无机材料学报, 2015, 4
2014
  • 1. 图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5
  • 2. 铝分层诱导晶化非晶硅的研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5
  • 3. Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET. 半导体技术, 2014, 2
2013
  • 1. GaN基蓝绿光LED电应力老化分析. 发光学报, 2013, 11
  • 2. 硅基硒纳米颗粒的发光特性研究. 物理学报, 2013, 17
  • 3. 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析. 物理学报, 2013, 16
  • 4. 用于锂离子电池负极的多孔硅材料制备. 厦门大学学报(自然科学版), 2013, 04
  • 5. 合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响. 半导体技术, 2013, 07
  • 6. 基于FPGA的以太网与E1网中的同步动态随机存储控制器设计. 厦门大学学报(自然科学版), 2013, 03
2012
  • 1. 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长. 物理学报, 2012, 7
  • 2. Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究. 光电子.激光, 2012, 5
  • 3. 高效GaAs/Si叠层电池设计优化. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 4
  • 4. 多孔SiGe/Si异质材料微腔的结构设计与制备. 闽江学院学报, 2012, 2
  • 5. 采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能. 物理学报, 2012, 18
  • 6. N型掺杂应变Ge发光性质. 物理学报, 2012, 3
  • 7. 快速热氧化制备超薄GeO_2及其性质. 半导体技术, 2012, 3
2011
  • 1. 循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究. 物理学报, 2011, 7
  • 2. Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展. 半导体光电, 2011, 3
  • 3. Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用. 物理学报, 2011, 9
  • 4. Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究. 光电子.激光, 2011, 2
  • 5. 半导体光电结构材料及其应用. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 2
2010
  • 1. GaN基LED与Si键合技术的研究. 光电子.激光, 2010, 8
  • 2. Si/Si低温键合界面的XPS研究. 厦门理工学院学报, 2010, 3
2009
  • 1. 退火对NiCr薄膜阻值的影响分析 . 华侨大学学报(自然科学版) , 2009, 1
  • 2. InP/GaAs异质键合界面的XPS研究 . 功能材料 , 2009, 4
  • 3. Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究 . 光电子.激光 , 2009, 8
  • 4. 真空高温脱O引起Si图形衬底形态变化的研究 . 光电子.激光 , 2009, 11
  • 5. Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 . 材料科学与工程学报 , 2009, 1
2008
  • 1. Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响. 固体电子学研究与进展, 2008, 04
  • 2. SiN_x薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用. 功能材料, 2008, 09
  • 3. U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制. 光电子.激光, 2008, 07
  • 4. 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟(英文). 半导体学报, 2008, 05
  • 5. 硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析. 光电子.激光, 2008, 05
  • 6. P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计. 半导体学报, 2008, 04
  • 7. Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究. 半导体光电, 2008, 02
  • 8. 红外微腔探测器中金属支撑柱的制备工艺研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2008, 02
  • 9. UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层. 半导体学报, 2008, 02
2007
  • 1. 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征. 半导体学报, 2007, 12
  • 2. Si/SiGe量子级联激光器的能带设计. 物理学报, 2007, 07
  • 3. 激光全息法制备二维硅基图形衬底. 半导体学报, 2007, 05



Patents (16)

  • 1. Si基Ge混合型波导光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN201620411546.0
  • 【Application Date】
  • 2016-05-09
  • 【Patent Number】
  • CN205723580U
  • 【Publication Date】
  • 2016-11-23
  • 【Inventors】
  • 阮育娇; 康品春; 郑伟峰; 陈松岩; 刘翰辉; 李成
  • 【Abstract】
  • 本实用新型公开了一种Si基Ge混合型波导光电探测器,包括波导和锗探测器;所述的波导与锗探测器耦合;所述的波导采用大截面SOI脊型波导,锗探测器采用PIN结构。由于本实用新型采用大截面的SOI脊型波导,以减少光纤和波导的耦合损耗,入射光既能通过端面直接耦合到Ge器件,又能通过垂直耦合从SOI波导耦合到Ge,以提高耦合效率,锗探测器采用PIN结构,在硅层以及锗层的顶端有不同性质的参杂,以形成一个垂直的P?I?N结。
  • 2. 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310405028.9
  • 【Application Date】
  • 2013-09-09
  • 【Patent Number】
  • CN103441062B
  • 【Publication Date】
  • 2016-09-28
  • 【Inventors】
  • 李成; 卢卫芳; 黄诗浩; 林光杨; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法,涉及一种纳米材料。在SOI衬底上,用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构,用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列,利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形,刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层;利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化,从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料,简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。
  • 3. 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310383471.0
  • 【Application Date】
  • 2013-08-29
  • 【Patent Number】
  • CN103413788B
  • 【Publication Date】
  • 2016-03-09
  • 【Inventors】
  • 陈松岩; 亓东锋; 刘翰辉; 李成
  • 【Abstract】
  • 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法,涉及一种金属纳米晶存储器。1)通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状的结构;2)将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后,采用干法氧化方法,在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层;3)将步骤2)得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒;4)采用电子束蒸发工艺在步骤3)获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层,最后蒸镀上电极和下电极,获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。
  • 4. 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410183675.4
  • 【Application Date】
  • 2014-05-04
  • 【Patent Number】
  • CN103928562B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-06
  • 【Inventors】
  • 黄巍; 魏江镔; 陈松岩; 李成
  • 【Abstract】
  • 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法,涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层,再在锗层上生长SiO2覆盖层;2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面;3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽,通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区;4)沉积金属Ni层后热退火,利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极;5)引出器件电极,保护钝化层,即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单,可操作性强,极具应用价值。
  • 5. 具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210283318.6
  • 【Application Date】
  • 2012-08-09
  • 【Patent Number】
  • CN102790121B
  • 【Publication Date】
  • 2015-12-16
  • 【Inventors】
  • 陈松岩; 李欣; 刘蕊; 刘晶晶; 孙钦钦
  • 【Abstract】
  • 具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层;第一结Ge子电池构建在Ge衬底上,Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区,第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接,第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接,第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接,接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池,实现电池的电流匹配和晶格匹配,解决电流不匹配的问题,还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。
  • 6. 一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池
  • 【Application Number】
  • CN201210282587.0
  • 【Application Date】
  • 2012-08-09
  • 【Patent Number】
  • CN102779865B
  • 【Publication Date】
  • 2015-04-08
  • 【Inventors】
  • 陈松岩; 李欣; 刘蕊; 刘晶晶; 孙钦钦
  • 【Abstract】
  • 一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池,涉及一种太阳能电池。设有Si底电池、Ge隧穿结、GaAs中间电池、AlGaAs/InGaP隧穿结、InGaP顶电池和接触层,所述Si底电池构建在P型Si衬底上,Ge隧穿结连接Si底电池与GaAs中间电池,AlGaAs/InGaP隧穿结连接GaAs中间电池与InGaP顶电池,接触层设于InGaP顶电池上。Ge隧穿结将Si与GaAs之间形成失配位错和反相畴的区域有效分割,解决了Si底电池与Ⅲ-Ⅴ族子电池间的串联、晶格匹配以及反相畴问题,有利于提高电池外延的晶体质量和电池转换效率。
  • 7. 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310383280.4
  • 【Application Date】
  • 2013-08-29
  • 【Patent Number】
  • CN103413787B
  • 【Publication Date】
  • 2015-01-28
  • 【Inventors】
  • 陈松岩; 亓东锋; 刘翰辉; 李成
  • 【Abstract】
  • 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法,涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状结构;将刻蚀后的Si片标准清洗后,采用干法氧化方法,在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层;在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点;以Au量子点为掩膜版,采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构;采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层,最后蒸镀金属上电极和下电极,获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
  • 8. 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法
  • 【Application Number】
  • CN201010231280.9
  • 【Application Date】
  • 2010-07-17
  • 【Patent Number】
  • CN101916719B
  • 【Publication Date】
  • 2012-05-23
  • 【Inventors】
  • 李成; 吴政; 赖虹凯; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法,涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗;将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层,再进行光刻,然后去除二氧化硅层,得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底;将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中,先在N型锗衬底正面沉积TaN层,然后在TaN层上沉积单质金属层,再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。
  • 9. 一种Si基微纳发光材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810070671.X
  • 【Application Date】
  • 2008-02-27
  • 【Patent Number】
  • CN101246943B
  • 【Publication Date】
  • 2010-10-13
  • 【Inventors】
  • 陈松岩; 周笔; 潘书万; 李成; 赖虹凯
  • 【Abstract】
  • 一种Si基微纳发光材料的制备方法,涉及一种Si基微纳发光材料,尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质,实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex(0<x<1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m,n表示对应材料的原子层数,m≤30,n≤15);在生长后的样品背面溅射金属电极;用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀;腐蚀后的样品经冲洗,烘氮气吹干或烘干,即得目标产物。
  • 10. 一种锗量子点的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071934.9
  • 【Application Date】
  • 2008-10-14
  • 【Patent Number】
  • CN101388324B
  • 【Publication Date】
  • 2010-06-09
  • 【Inventors】
  • 张永; 李成; 廖凌宏; 陈松岩; 赖虹凯; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种锗量子点的制备方法,涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上,生长一层SiGe合金层,Ge组分大于0,小于等于0.5;将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗,清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层,氧化物为SiO2和GeO2的混合物;将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧,得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度,小于SiGe的熔点。
  • 11. 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200710008498.6
  • 【Application Date】
  • 2007-01-26
  • 【Patent Number】
  • CN100447950C
  • 【Publication Date】
  • 2008-12-31
  • 【Inventors】
  • 李成; 蔡坤煌; 张永; 赖虹凯; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法,涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法,尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上,用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层,在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层,Ge组分小于0.2,厚度在临界厚度以下;将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化,在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层,Ge组分大于0.3;将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。
  • 12. 利用农作物生物质制氢及氢能发电装置
  • 【Application Number】
  • CN200410005733.0
  • 【Application Date】
  • 2004-02-16
  • 【Patent Number】
  • CN1271741C
  • 【Publication Date】
  • 2006-08-23
  • 【Inventors】
  • 龙敏南; 邬小兵; 徐惠娟; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 利用农作物生物质制氢及氢能发电装置,涉及一种利用农作物秸秆生物质制氢及氢能发电的成套装置。提供一种利用农作物秸秆等生物质的微生物分解及微生物制氢的应用,将农作物秸秆等生物质的微生物分解、制氢、储氢及氢能-电能转化结合的装置。设有生物质分解装置、发酵制氢装置、反应液后处理装置、水封装置、气体洗脱装置、气体干燥装置、储氢装置、燃料电池。利用分解微生物将各种农业秸杆和淀粉类物质分解为糖类物质,利用微生物发酵糖类物质产氢,发酵废液通过后处理排放,生物氢通过洗脱后储存于储氢系统,并通过燃料电池将氢能转化为电能或直接供热。可用于大规模生物质制氢和发电和分散的小规模生物质制氢发电。
  • 13. 用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99119122.6
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN1118159C
  • 【Publication Date】
  • 2003-08-13
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器,采用CSMA/CD方式,执行IEEE802.3u标准,设两块执行芯片U1、U2,光信号经光纤接口接光纤信号收发模块,收发模块的电转换输出经第一块执行芯片U1的解码—电阻组—第二块执行芯片U2的编码后,从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口,RJ45接口的发射端接耦合器,并经第二块执行芯片U2的解码—电阻组—第一块执行芯片U1的编码后,接收发模块,并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。
  • 14. 用于计算机以太网通信的10Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99119121.8
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN1111982C
  • 【Publication Date】
  • 2003-06-18
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、Tx端分别接耦合器,耦合器与AUI接口连接;SQE端接选择开关;工作状态输出端接工作状态显示器,Vin端和TxOUT端分别接PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps,不采用晶振和时钟定时器,抗干扰性强,工作稳定,成本低,用于计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间以及终端机之间的光互连。
  • 15. 用于计算机以太网通信的10Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99244573.6
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN2389446Y
  • 【Publication Date】
  • 2000-07-26
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、 Tx端分别接耦合器, 耦合器与AUI接口连接; SQE端接选择开关 工作状态输出端接工作状态显示器, Vin端和TxOUT端分别接 PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。 AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps, 不采用晶振和时钟定时器, 抗干扰性强, 工作稳定, 成本低, 用于 计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间 以及终端机之间的光互连。
  • 16. 用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99244574.4
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN2389447Y
  • 【Publication Date】
  • 2000-07-26
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光 纤收发器, 采用CSMA/CD方式, 执行IEEE 802.3u标准, 设两块执行芯片U1、U2, 光信号经光纤接口接光纤信号收发模块, 收发模块的电转换输出经U1的解码—电阻组—U2的编码后, 从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口, RJ45接口的发射端接耦合器, 并经U2的解码—电阻组—U1的编码后, 接收发模块, 并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。

Books & Chapters (0)