只显示第一或通讯作者 按发表时间排序

C-Papers (17)

2015
  • 1. 侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 3
2014
  • 1. 纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5
  • 2. 低压下激光剥离的研究. 现代电子技术, 2014, 12
2013
  • 1. 基于5630 TOP LED亚毫米级阵列式微型透镜的光学仿真. 半导体光电, 2013, 05
  • 2. 基于磁阻传感器的车流量检测系统的设计与应用. 厦门大学学报(自然科学版), 2013, 03
2011
  • 1. 侧面粗化提高GaN基LED出光效率研究. 半导体光电, 2011, 3
2010
  • 1. In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能. 物理学报, 2010, 7
2009
  • 1. 全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率 . 物理学报 , 2009, 2
  • 2. 发光二极管的色度分析 . 光电技术应用 , 2009, 2
  • 3. 用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻 . 半导体光电 , 2009, 3
2008
  • 1. MOCVD侧向外延生长GaN的研究. 微细加工技术, 2008, 06
  • 2. 2×25.4mm GaN LED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用. 光电子.激光, 2008, 11
  • 3. AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制. 半导体光电, 2008, 05
  • 4. 表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟. 电子器件, 2008, 04
  • 5. 生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性的影响. 半导体光电, 2008, 02
2007
  • 1. 非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管. 半导体光电, 2007, 06
  • 2. 优化GaN基发光二极管的电极. 半导体技术, 2007, 10



Patents (15)

  • 1. 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410049914.7
  • 【Application Date】
  • 2014-02-13
  • 【Patent Number】
  • CN103794688B
  • 【Publication Date】
  • 2016-11-09
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 陈志远; 朱丽虹; 曾凡明; 林飞
  • 【Abstract】
  • 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法,涉及LED器件。1)在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层;2)在步骤1)生长的透明导电层上生长一层掩膜层;3)在步骤2)生长的掩膜层上涂上压印胶,利用硬模板直接纳米压印,脱模后在胶体表面形成纳米结构;4)对外延片进行残胶去除;5)对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分,即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上;6)去除掩膜层表面所有残余压印胶;7)在外延片表面再次蒸镀与步骤1)所述相同的透明导电层;8)去除外延片表面残余掩膜层,在透明导电层上得到光子晶体结构;9)将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。
  • 2. 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210073692.3
  • 【Application Date】
  • 2012-03-19
  • 【Patent Number】
  • CN102593207B
  • 【Publication Date】
  • 2015-01-21
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张玲; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底,在衬底表面外延本征半导体层,本征半导体层上设有凹槽,在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层,在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜,在衬底底部蒸镀背电极,当衬底为p型半导体层时,半导体层为n型半导体层;当衬底为n型半导体层时,半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层;在样品热生长或沉积一层遮挡层;在样品上表面刻出图形,去除遮挡层,刻出凹槽;在凹槽内形成半导体层,去除遮挡层形成发射区;沉积上电极,剥离;在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜,剥离;在样品背面沉积背电极。
  • 3. 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210073222.7
  • 【Application Date】
  • 2012-03-19
  • 【Patent Number】
  • CN102593232B
  • 【Publication Date】
  • 2014-09-03
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张玲; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底,在衬底上设有凹槽,在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层,在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜,在半导体层底部蒸镀背电极,当衬底为p型半导体层时,半导体层为n型半导体层;当衬底为n型半导体层时,半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结,即内建电场呈与表面平行分布的结构,光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动,同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下,所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求,可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。
  • 4. 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210073365.8
  • 【Application Date】
  • 2012-03-19
  • 【Patent Number】
  • CN102544184B
  • 【Publication Date】
  • 2014-08-06
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张玲; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层,p型(或n型)半导体层上设有凹槽,在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层,在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜,在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率,并有效降低其材料成本。
  • 5. 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201010116025.X
  • 【Application Date】
  • 2010-02-23
  • 【Patent Number】
  • CN101789473B
  • 【Publication Date】
  • 2013-03-20
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 李晓莹
  • 【Abstract】
  • 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法,涉及一种发光二极管。从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5~10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅GaN层、5个周期的固定或渐变组分InGaN/GaN量子阱、掺镁AlGaN层、掺镁GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p-InGaN盖层。将蓝宝石衬底装入反应室,对衬底依次进行热处理和氮化处理后依次生长GaN缓冲层至p-InGaN盖层,退火后得GaN基垂直结构发光二极管。
  • 6. GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112086.6
  • 【Application Date】
  • 2009-06-26
  • 【Patent Number】
  • CN101593804B
  • 【Publication Date】
  • 2011-06-08
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 李晓莹
  • 【Abstract】
  • GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法,涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3~5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理,依次生长GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3~5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层,外延生长完退火,刻蚀出n型GaN层,再制备n型和p型欧姆接触层。
  • 7. 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910111881.3
  • 【Application Date】
  • 2009-05-27
  • 【Patent Number】
  • CN101572288B
  • 【Publication Date】
  • 2011-01-05
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法,涉及一种发光二极管。提供一种出光效率和输出功率较高的GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法。设有蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构,多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、P型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层,在N型GaN电极接触层上设有n型电极,在P型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。
  • 8. 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN200710009957.2
  • 【Application Date】
  • 2007-12-10
  • 【Patent Number】
  • CN100544038C
  • 【Publication Date】
  • 2009-09-23
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张保平; 毛明华
  • 【Abstract】
  • 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器,涉及一种光电探测器,尤其是涉及一种将光信 号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变 InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al2O3)衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN 光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层,从下至上GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、 p-InAlN层和p-GaN顶层依次设在蓝宝石(Al2O3)衬底上,在p-GaN顶层上设有p电极,在 n-GaN层上设有n电极。
  • 9. 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200710009955.3
  • 【Application Date】
  • 2007-12-10
  • 【Patent Number】
  • CN100514558C
  • 【Publication Date】
  • 2009-07-15
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张保平; 尹以安
  • 【Abstract】
  • 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法,涉及一种p型氮化镓(p-GaN)。提供一种p-GaN低 阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室,在H2气氛下对衬底热处 理,降温对衬底氮化处理;降温生长GaN缓冲层,升温使GaN缓冲层重新结晶;外延生长GaN 层;降温生长掺镁GaN层;再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层;在5个周期 的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层。结果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格 作顶层可以获得更低的比接触电阻。
  • 10. 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200710009956.8
  • 【Application Date】
  • 2007-12-10
  • 【Patent Number】
  • CN100495750C
  • 【Publication Date】
  • 2009-06-03
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张保平; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法,涉及一种发光二极管。提供一种出 光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、GaN缓 冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层,InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN 层和掺镁GaN层,并从下至上设于衬底上。将(0001)面的蓝宝石衬底装入反应室,在H2 气氛下热处理;降温生长GaN缓冲层;在GaN缓冲层上生长第1掺硅GaN层,降温取出样 品;在样品上沉积介质层,沿第1掺硅GaN层的方向刻出窗口作为图形衬 底,样品清洗后外延生长:整个外延生长完成后,将外延片退火。
  • 11. InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺
  • 【Application Number】
  • CN02154606.1
  • 【Application Date】
  • 2002-11-25
  • 【Patent Number】
  • CN1188914C
  • 【Publication Date】
  • 2005-02-09
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 刘宝林
  • 【Abstract】
  • 涉及一种半导体器件,尤其是一种将光信号转换为电信号的InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺。为i-InP顶层/i-In0.53Ga0.47As光敏层/i-InP缓冲层/N+-InP衬底四层双异质结材料结构。在顶层中有P+锌扩散区,P+锌扩散区靠近i-In0.53Ga0.47As光敏层,但没有到达光敏层;工艺步骤为:在外延片上生长氧化铝钝化膜,以锌作为扩散源进行开管锌扩散;用直接蒸发的方法在InP材料上淀积高质量的氧化铝薄膜,暗电流降低,信噪比提高,容易制备、成本低廉、结构改进,可在较低温度下连续、简便进行开管锌扩散新工艺,以及此膜可用于InP材料钝化膜和锌扩散的屏蔽掩膜,也可用于InP材料的抗反射膜,提高探测器的性能。
  • 12. 用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99119122.6
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN1118159C
  • 【Publication Date】
  • 2003-08-13
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器,采用CSMA/CD方式,执行IEEE802.3u标准,设两块执行芯片U1、U2,光信号经光纤接口接光纤信号收发模块,收发模块的电转换输出经第一块执行芯片U1的解码—电阻组—第二块执行芯片U2的编码后,从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口,RJ45接口的发射端接耦合器,并经第二块执行芯片U2的解码—电阻组—第一块执行芯片U1的编码后,接收发模块,并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。
  • 13. 用于计算机以太网通信的10Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99119121.8
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN1111982C
  • 【Publication Date】
  • 2003-06-18
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、Tx端分别接耦合器,耦合器与AUI接口连接;SQE端接选择开关;工作状态输出端接工作状态显示器,Vin端和TxOUT端分别接PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps,不采用晶振和时钟定时器,抗干扰性强,工作稳定,成本低,用于计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间以及终端机之间的光互连。
  • 14. 用于计算机以太网通信的10Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99244573.6
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN2389446Y
  • 【Publication Date】
  • 2000-07-26
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、 Tx端分别接耦合器, 耦合器与AUI接口连接; SQE端接选择开关 工作状态输出端接工作状态显示器, Vin端和TxOUT端分别接 PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。 AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps, 不采用晶振和时钟定时器, 抗干扰性强, 工作稳定, 成本低, 用于 计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间 以及终端机之间的光互连。
  • 15. 用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器
  • 【Application Number】
  • CN99244574.4
  • 【Application Date】
  • 1999-09-16
  • 【Patent Number】
  • CN2389447Y
  • 【Publication Date】
  • 2000-07-26
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 夏德昊; 刘宝林; 陈松岩
  • 【Abstract】
  • 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光 纤收发器, 采用CSMA/CD方式, 执行IEEE 802.3u标准, 设两块执行芯片U1、U2, 光信号经光纤接口接光纤信号收发模块, 收发模块的电转换输出经U1的解码—电阻组—U2的编码后, 从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口, RJ45接口的发射端接耦合器, 并经U2的解码—电阻组—U1的编码后, 接收发模块, 并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。

Books & Chapters (0)