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C-Papers (6)

2014
  • 1. 由苯胺二聚体电化学制备聚苯胺的形貌可控性初探. 电化学, 2014, 1
2013
  • 1. 光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素. 物理化学学报, 2013, 11
2012
  • 1. 电化学微/纳米加工技术. 大学化学, 2012, 3
  • 2. 电化学制备有序聚苯胺纳米线阵列. 电化学, 2012, 1
2010
  • 1. 电化学活化玻碳/铋膜电极制备及铅、镉离子敏感分析法. 电化学, 2010, 2
2009
  • 1. 电化学诱导聚合甲基丙烯酸膜及葡萄糖酶电极制备 . 电化学 , 2009, 3



Patents (6)

  • 1. 电致化学抛光方法
  • 【Application Number】
  • CN201410185241.8
  • 【Application Date】
  • 2014-05-04
  • 【Patent Number】
  • CN103924287B
  • 【Publication Date】
  • 2016-09-28
  • 【Inventors】
  • 周平; 康仁科; 单坤; 时康; 蔡吉庆; 董志刚; 郭东明
  • 【Abstract】
  • 本发明提供一种电致化学抛光方法,包括以下步骤:配制含有电活性中介体、pH调节剂、粘度调节剂和抑制剂的工作液;将工作电极工作面与工件表面平行相对设置,工作电极工作面具有小于1μm平整度;将工作电极工作面和工件表面浸入工作液中,通过微纳复合进给机构调整工作电极工作面与工件表面的间距至0.05μm~20μm;启动电源使工作电极和辅助电极通电,工作电极工作面附近的电活性中介体通过电化学反应生成刻蚀剂,通过刻蚀剂扩散至工件表面并发生扩散控制的刻蚀反应,对工件表面局部高点进行选择性刻蚀,实现对工件表面无应力抛光。
  • 2. 一种纳米精度的电化学刻蚀加工方法
  • 【Application Number】
  • CN201410269475.0
  • 【Application Date】
  • 2014-06-17
  • 【Patent Number】
  • CN104018211B
  • 【Publication Date】
  • 2016-08-24
  • 【Inventors】
  • 时康; 田中群; 张红万; 康仁科; 张劲福; 田昭武; 周平; 王成; 单坤; 周剑章; 吴丹
  • 【Abstract】
  • 本发明公开了一种纳米精度的电化学刻蚀加工方法,其包括如下步骤:在模板电极或工件表面固定一层氧化还原水合凝胶聚合物超薄膜;将模板电极和工件浸入工作溶液,叠放于容器底部,使模板电极表面和工件表面分别与软质聚合物超薄膜的两面保持自然紧密接触;另在容器内设辅助电极和参比电极,并与电化学控制仪相连;启动电化学控制仪,调控模板电极的电位,电化学氧化超薄膜中的电化学活性基团,由其快速地化学氧化与之接触的工件表面夺取电子,而工件表面失去的电子被超薄膜慢速地传递至模板电极,使刻蚀持续进行;刻蚀完毕后,关闭电化学控制仪,移开模板电极,即可。本方法能以纳米精度将模板电极表面微结构图案的互补结构刻蚀加工在工件表面。
  • 3. 一种电化学刻蚀加工聚合物材料表面的方法
  • 【Application Number】
  • CN201310172181.1
  • 【Application Date】
  • 2013-05-10
  • 【Patent Number】
  • CN103342334B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-20
  • 【Inventors】
  • 时康; 张红万; 杨永学; 田中群; 张劲福; 王成
  • 【Abstract】
  • 本发明公开了一种电化学刻蚀加工聚合物材料表面的方法,涉及聚合物材料表面的微纳米加工技术领域,具体步骤是:将表面带有微图案的金属或合金材质的工具电极与聚合物工件表面相接触,并浸入工作溶液中;另在工作溶液中设置对电极和参比电极;通过电化学控制系统调控工具电极的电位使之表面发生电化学阳极氧化反应,产生金属氧化物纳米膜,再由金属氧化物纳米膜化学刻蚀聚合物材料表面;刻蚀完毕后,关闭电化学控制系统,将工具电极从聚合物材料表面移开,即可。该方法所需的设备简单、价廉,对导电或非导电材质的聚合物表面均可实现高效、高精度的批量刻蚀加工。
  • 4. 一种平面碳膜电极的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210556923.6
  • 【Application Date】
  • 2012-12-18
  • 【Patent Number】
  • CN103072938B
  • 【Publication Date】
  • 2015-07-08
  • 【Inventors】
  • 王成; 时康; 康仁科; 田中群; 杨永学; 单坤; 张红万; 周剑章; 周平; 詹东平; 张艺程
  • 【Abstract】
  • 本发明公开了一种平面碳膜电极的制备方法,涉及电化学微纳米加工技术领域。具体步骤是:将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上,随后在具有一定压力的惰性气体保护下,通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化,并最终形成导电碳膜;最后采用树脂封装制成平面碳膜电极。由于采用程序升温使光刻胶层在发生碳化前先发生软化,利用并通过增加气体压力,延长在软化温度下的滞留时间,进一步增强光刻胶层的自流平作用,制得具有极高面形精度的大面积碳膜电极。
  • 5. 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置
  • 【Application Number】
  • CN201010219037.5
  • 【Application Date】
  • 2010-07-07
  • 【Patent Number】
  • CN101880907B
  • 【Publication Date】
  • 2012-04-25
  • 【Inventors】
  • 田中群; 时康; 詹东平; 田昭武; 韩联欢; 汤儆
  • 【Abstract】
  • 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置,涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极,并与工件置于容器底部;刀具浸入溶液,启动电化学系统,在刀具表面生成刻蚀整平剂,将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度,再调控刻蚀整平剂液层厚度;驱动三维微驱动装置,将刀具不断地向工件逼近,调控工件表面与刀具之间的距离和平行度;将刀具向工件表面移动,使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触,直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。
  • 6. 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置
  • 【Application Number】
  • CN200410037771.4
  • 【Application Date】
  • 2004-05-12
  • 【Patent Number】
  • CN1274582C
  • 【Publication Date】
  • 2006-09-13
  • 【Inventors】
  • 时康; 张力; 祖延兵; 蒋利民; 周勇亮; 田中群
  • 【Abstract】
  • 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置,将模板固定于架上,浸入电化学刻蚀溶液,以模板作为工作电极,另在容器中设辅助电极和参比电极,启动电化学系统,将模板逐步移向硅片,进行刻蚀,刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离,所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄,以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下,以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度,分辨率达0.1微米以上。

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