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Patents (3)

  • 1. 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310250357.0
  • 【Application Date】
  • 2013-06-21
  • 【Patent Number】
  • CN103320753B
  • 【Publication Date】
  • 2016-04-13
  • 【Inventors】
  • 黄凯; 陈雪; 康俊勇; 高娜; 杨旭
  • 【Abstract】
  • 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法,涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中,放入样品台,然后将衬底放置于样品台上;将铝置于E-Beam生长腔体内,用高能电子束轰击膜料铝,使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态,并沉积在衬底上,完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法,可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控,有利于制备电学/光电器件。制备条件简单,不需要复杂设备,在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
  • 2. 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN201310461747.2
  • 【Application Date】
  • 2013-09-30
  • 【Patent Number】
  • CN103474503B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-20
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 黄凯; 陈雪; 林伟; 李书平; 陈航洋; 杨旭; 李金钗
  • 【Abstract】
  • 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
  • 3. 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极
  • 【Application Number】
  • CN201210319019.3
  • 【Application Date】
  • 2012-08-31
  • 【Patent Number】
  • CN102820398B
  • 【Publication Date】
  • 2015-05-27
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 杨旭; 李金钗; 李书平
  • 【Abstract】
  • 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极,涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应,改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底;分布式布拉格反射结构设在半导体基底上,分布式布拉格反射结构为多层介质,所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆;所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。

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