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C-Papers (12)

2015
  • 1. 侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 3
2014
  • 1. 纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5
  • 2. 低压下激光剥离的研究. 现代电子技术, 2014, 12
  • 3. 远程荧光体白光发光二极管的发光性能. 光子学报, 2014, 5
  • 4. 可控温大功率LED光强空间分布测试系统的设计. 激光与光电子学进展, 2014, 3
  • 5. 传统白光LED与远程荧光粉白光LED的发光性能比较. 发光学报, 2014, 1
2013
  • 1. 基于积分球的蓝光LED荧光粉测试系统. 光电技术应用, 2013, 04
  • 2. 外部电压源法测试大电压LED器件/模块热阻. 实验技术与管理, 2013, 07
2012
  • 1. 两种高温老化方式对功率白光LED光热参数的影响. 光电子.激光, 2012, 5
  • 2. 负偏压法测试大电压LED器件热阻. 实验技术与管理, 2012, 4
  • 3. 基于Spectro320e光谱仪的白光LED荧光粉性能测试. 现代显示, 2012, 4
  • 4. 交流发光二极管热特性的模拟分析. 光学学报, 2012, 6



Patents (15)

  • 1. 一种远程荧光粉性能测试装置及测试方法
  • 【Application Number】
  • CN201410468862.7
  • 【Application Date】
  • 2014-09-15
  • 【Patent Number】
  • CN104198453B
  • 【Publication Date】
  • 2017-02-15
  • 【Inventors】
  • 吕毅军; 黄伟林; 卢红丽; 朱丽虹; 陈国龙; 高玉琳; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种远程荧光粉性能测试装置及测试方法,涉及荧光粉。远程荧光粉性能测试装置设有积分球、余弦收集器、蓝光LED光源、反光杯、荧光粉片/硅胶片、TEC控温夹具、恒流源、光谱仪、计算机和底座;所述积分球固定于底座上,积分球上设有入光口和出光口,余弦收集器在出光口处通过光纤连接光谱仪用于采集入射光,光谱仪的输出端接计算机,用于光谱采集及数据分析;所述蓝光LED光源与恒流源连接,作为激发光源固定在TEC控温夹具上,通过控温保证光源稳定性;反光杯固定在蓝光LED光源上,起聚集光作用;荧光粉片/硅胶片贴在反光杯上,蓝光LED光源激发荧光粉产生黄光,与透过的蓝光混合成白光。
  • 2. 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410049914.7
  • 【Application Date】
  • 2014-02-13
  • 【Patent Number】
  • CN103794688B
  • 【Publication Date】
  • 2016-11-09
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 陈志远; 朱丽虹; 曾凡明; 林飞
  • 【Abstract】
  • 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法,涉及LED器件。1)在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层;2)在步骤1)生长的透明导电层上生长一层掩膜层;3)在步骤2)生长的掩膜层上涂上压印胶,利用硬模板直接纳米压印,脱模后在胶体表面形成纳米结构;4)对外延片进行残胶去除;5)对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分,即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上;6)去除掩膜层表面所有残余压印胶;7)在外延片表面再次蒸镀与步骤1)所述相同的透明导电层;8)去除外延片表面残余掩膜层,在透明导电层上得到光子晶体结构;9)将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。
  • 3. 一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法
  • 【Application Number】
  • CN201310196584.X
  • 【Application Date】
  • 2013-05-24
  • 【Patent Number】
  • CN103308499B
  • 【Publication Date】
  • 2016-07-06
  • 【Inventors】
  • 朱丽虹; 肖华; 吕毅军; 高玉琳; 陈国龙; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法,涉及荧光粉。提供基于积分球的一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法。所述测试装置设有固定底座、积分球、出光筒、蓝光LED光源、TEC控温夹具、恒流源、余弦收集器、光谱仪、计算机、挡板和标准白板。利用LED光谱参数可调、发光稳定的优点作为激发光源,以及积分球装置封闭的特点完整收集荧光粉反射的光线,提出了一套适用性强的荧光粉性能测量系统,可以方便准确地测量分析荧光粉在实际工作条件下的发光效能、外量子效率、光转换效率等重要发光性能指标。同时,系统可以通过灵活更换LED激发光源,实现不同荧光粉对不同激发光源的要求,具有良好的扩展性能。
  • 4. 一种用于多路LED寿命加速及在线测试的温控加热装置
  • 【Application Number】
  • CN201620016134.7
  • 【Application Date】
  • 2016-05-04
  • 【Patent Number】
  • CN205353328U
  • 【Publication Date】
  • 2016-06-29
  • 【Inventors】
  • 林岳; 周骁炀; 陈国龙; 吕毅军; 高玉琳; 朱丽虹; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种用于多路LED寿命加速及在线测试的温控加热装置,涉及LED加热控温装置。设有电气接触板、LED样品、LED固定板、加热块、垫片、边固定块和散热底座;所述边固定块设于散热底座上两侧,散热底座用于提供平台,所述加热块设于散热底座中部上方,加热块与散热底座之间设有用于绝缘隔热的垫片,加热块的两侧分别插入电热棒和热电阻,电热棒和热电阻外接温控器;LED固定板设于加热块上方,LED固定板上设有用于安装LED样品的孔位;所述电气接触板设于LED固定板上方,用于压紧安装在LED固定板上孔位的LED样品。加热块可设有导热块,导热块的横截面可为凸字形。有效提高测试的连续性与准确性;体积小巧,结构简易。
  • 5. 一种消除AC-LED芯片频闪的电源转化电路
  • 【Application Number】
  • CN201520804748.7
  • 【Application Date】
  • 2015-10-16
  • 【Patent Number】
  • CN204968206U
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-13
  • 【Inventors】
  • 吕毅军; 纪旭明; 吴挺竹; 高玉琳; 朱丽虹; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种消除AC-LED芯片频闪的电源转化电路,涉及电源。设有保护电路、交流电源滤波器和转化电路;所述保护电路的输入端并联在市电输入端,所述交流电源滤波器的输入端接保护电路的输出端,所述转化电路设有降压电路、正反馈电路和升压电路,降压电路的输入端接交流电源滤波器的输出端,正反馈电路的输入端接降压电路的输出端,升压电路的输入端接正反馈电路的输出端;交流电源滤波器用于滤除市电中的高频噪声干扰和多次谐波,抑制电压尖峰,消除干扰辐射;降压电路用于将经滤波的高压正弦信号转化为低电压正弦信号;正反馈电路用于将低电压正弦波信号转化成矩形波信号;升压电路用于放大矩形波信号。
  • 6. 一种焦距可调的LED光源聚光装置
  • 【Application Number】
  • CN201520079314.5
  • 【Application Date】
  • 2015-02-04
  • 【Patent Number】
  • CN204360021U
  • 【Publication Date】
  • 2015-05-27
  • 【Inventors】
  • 吕毅军; 黄伟林; 高玉琳; 朱丽虹; 陈国龙; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种焦距可调的LED光源聚光装置,涉及LED光源。设有底座、LED灯、反光杯、出光筒、聚光透镜夹、聚光透镜以及导光管;LED灯安装在底座上并套在反光杯上,反光杯小口直径和LED灯的直径相同;出光筒设有内凹筒和外凹筒,内凹筒的内直径比反光杯大口外直径大,内凹筒的长度与反光杯的长度相同,出光筒通过设于出光筒外侧的两个固定螺丝固定在底座上;外凹筒的内直径比导光管的外直径大,导光管通过设于外凹筒上两侧的固定螺丝孔与出光筒固定;导光管设有一段可供聚光透镜夹自由移动的内槽,该内槽的内直径比聚光透镜夹的外直径大;聚光透镜夹设有手柄,手柄上设有螺丝孔,该螺丝孔用于固定聚光透镜。
  • 7. 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210073692.3
  • 【Application Date】
  • 2012-03-19
  • 【Patent Number】
  • CN102593207B
  • 【Publication Date】
  • 2015-01-21
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张玲; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底,在衬底表面外延本征半导体层,本征半导体层上设有凹槽,在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层,在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜,在衬底底部蒸镀背电极,当衬底为p型半导体层时,半导体层为n型半导体层;当衬底为n型半导体层时,半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层;在样品热生长或沉积一层遮挡层;在样品上表面刻出图形,去除遮挡层,刻出凹槽;在凹槽内形成半导体层,去除遮挡层形成发射区;沉积上电极,剥离;在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜,剥离;在样品背面沉积背电极。
  • 8. 一种发光二极管结温的测量方法
  • 【Application Number】
  • CN201310183485.8
  • 【Application Date】
  • 2013-05-17
  • 【Patent Number】
  • CN103234656B
  • 【Publication Date】
  • 2014-11-12
  • 【Inventors】
  • 吕毅军; 林思棋; 吴弼卿; 姚琦; 朱丽虹; 陈国龙; 高玉琳; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种发光二极管结温的测量方法,涉及发光二极管,尤其是涉及一种发光二极管结温的测量方法。提供对发光二极管没有热效应影响,测量装置简单、操作方便的一种发光二极管结温的测量方法。搭建结温测量装置;由温度控制源表设定一组温度值,设定电压值,按所设定的一组温度值和所设定的电压值,测量得到不同温度值下的发光二极管的正向电流值;先画出电流对数与温度倒数的关系图,然后进行直线拟合;调节数字电源表的输出电压,使发光二极管正常发光,然后停止发光二极管发光;计算得到与各个电流值对应的结温值,再通过结温与时间关系式进行拟合,得到结温拟合曲线图;通过该图即可得到不同时间点对应发光二极管工作状态下结温值。
  • 9. 一种照度可调的光电探测器绝对光谱响应校准装置
  • 【Application Number】
  • CN201420319568.5
  • 【Application Date】
  • 2014-06-16
  • 【Patent Number】
  • CN203929098U
  • 【Publication Date】
  • 2014-11-05
  • 【Inventors】
  • 朱丽虹; 肖华; 陈国龙; 吕毅军; 高玉琳
  • 【Abstract】
  • 一种照度可调的光电探测器绝对光谱响应校准装置,涉及光电探测器。设有光电采集电路、待测光电探测固定圆筒、可调节照度圆筒、滤光片组、平行光透镜组、LED光源、LED控温装置、电源和显示记录装置;光电采集电路输入端接待测光电探测器输出端,光电采集电路输出端接显示记录装置输入端,滤光片组、平行光透镜组和LED光源设在可调节照度圆筒内,平行光透镜组用于会聚LED光源的光束;LED控温装置设于可调节照度圆筒的尾部,电源通过LED控温装置接LED光源,待测光电探测器固定在待测光电探测固定圆筒上并位于可调节照度圆筒的前端开口处;待测光电探测固定圆筒的前端部与可调节照度圆筒的后端部相配套的转接插口连接。
  • 10. 一种远程荧光粉LED灯
  • 【Application Number】
  • CN201420321602.2
  • 【Application Date】
  • 2014-06-16
  • 【Patent Number】
  • CN203868787U
  • 【Publication Date】
  • 2014-10-08
  • 【Inventors】
  • 朱丽虹; 黄伟林; 肖华; 吕毅军; 高玉琳; 陈国龙; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种远程荧光粉LED灯,涉及LED灯。设有蓝光LED、反光杯、荧光粉材料层和扩散板;蓝光LED固定在反光杯顶端,反光杯内表面涂覆白色反射材料层,荧光粉材料层设在反光杯内;扩散板设在反光杯底部。改变了扩散板和荧光粉层的位置,增加了灯具的出光率,提高了荧光粉的激发效率,显著提高白光LED的光视效能。降低了同等电流下远程荧光粉LED灯的色温,更加适合室内照明。使白光LED灯的空间色温分布更加均匀,使其更加适用于通用室内照明。结合具体灯具实验,改变扩散板和荧光粉间距,得到优化的LED灯光视效能的最佳间距,为后续远程荧光粉LED灯具的设计提供参考。
  • 11. 一种光电探测器绝对光谱响应的校准方法
  • 【Application Number】
  • CN201210395731.1
  • 【Application Date】
  • 2012-10-17
  • 【Patent Number】
  • CN102914323B
  • 【Publication Date】
  • 2014-09-10
  • 【Inventors】
  • 吕毅军; 朱丽虹; 陈国龙; 高玉琳; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种光电探测器绝对光谱响应的校准方法,涉及光电探测器的测试。设有光栅光谱仪、光电采集电路、计算机、待测光电探测器、标准光谱辐照度探头、套筒、会聚透镜组、光源、LED温控夹具和LED稳流源。测出待测光电探测器相对光谱响应得相对光谱响应曲线;把探头和光源固定在套筒里,点亮LED和开启夹具,测出不同电流下LED的光谱辐照度分布;把探头卸掉,将待测光电探测器固定在套筒中,待测光电探测器响应电流经光电采集电路采集不同波长光照下的响应电流值,并送给计算机;已知相对光谱响应和待测光电探测器在LED光源的照射下的响应电流可计算出待测光电探测器的绝对光谱响应度。最终绘出响应度-波长曲线。
  • 12. 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210073222.7
  • 【Application Date】
  • 2012-03-19
  • 【Patent Number】
  • CN102593232B
  • 【Publication Date】
  • 2014-09-03
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张玲; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底,在衬底上设有凹槽,在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层,在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜,在半导体层底部蒸镀背电极,当衬底为p型半导体层时,半导体层为n型半导体层;当衬底为n型半导体层时,半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结,即内建电场呈与表面平行分布的结构,光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动,同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下,所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求,可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。
  • 13. 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210073365.8
  • 【Application Date】
  • 2012-03-19
  • 【Patent Number】
  • CN102544184B
  • 【Publication Date】
  • 2014-08-06
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张玲; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层,p型(或n型)半导体层上设有凹槽,在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层,在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜,在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率,并有效降低其材料成本。
  • 14. 一种用于热光参数测试仪的夹具
  • 【Application Number】
  • CN201320268356.4
  • 【Application Date】
  • 2013-05-16
  • 【Patent Number】
  • CN203231990U
  • 【Publication Date】
  • 2013-10-09
  • 【Inventors】
  • 陈国龙; 肖华; 吕毅军; 高玉琳; 朱丽虹; 陈忠
  • 【Abstract】
  • 一种用于热光参数测试仪的夹具,涉及夹具。设有底座、左金属压片组件和右金属压片组件;底座中部设有供外部样品基板安装的样品基板安装孔,左金属压片组件与右金属压片组件结构相同且对称设于底座左右两侧;左金属压片组件设有左插口螺栓、左金属压片、左手柄和左弹簧,左插口螺栓与底座插接,左金属压片外端设有导线引出孔,左弹簧套住左插口螺栓,左手柄套住左插口螺栓和左弹簧,左手柄与左金属压片固连组成一体;右金属压片设有右插口螺栓、右金属压片、右手柄和左弹簧,右插口螺栓与底座插接,右金属压片外端也设有导线引出孔,右弹簧套住左插口螺栓,右手柄套住右插口螺栓和右弹簧,右手柄与右金属压片固连组成一体。
  • 15. 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910111881.3
  • 【Application Date】
  • 2009-05-27
  • 【Patent Number】
  • CN101572288B
  • 【Publication Date】
  • 2011-01-05
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法,涉及一种发光二极管。提供一种出光效率和输出功率较高的GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法。设有蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构,多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、P型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层,在N型GaN电极接触层上设有n型电极,在P型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。

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