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Patents (8)

  • 1. 变容管加载的可重构带阻滤波器
  • 【Application Number】
  • CN201410704683.9
  • 【Application Date】
  • 2014-11-27
  • 【Patent Number】
  • CN104377411B
  • 【Publication Date】
  • 2017-02-01
  • 【Inventors】
  • 叶龙芳; 余敏; 朱锦锋; 张谅; 刘颜回; 柳清伙
  • 【Abstract】
  • 变容管加载的可重构带阻滤波器,涉及微波滤波器。设有介质基板,在介质基板上表面设有平面微带电路,下表面设有接地金属层;在平面微带电路上一侧两端分别设有左、右主传输微带,在左、右主传输微带之间设有中主传输微带;在左与中主传输微带之间串联左隔直电容,在右与中主传输微带之间串联右隔直电容,在左、右主传输微带的端部设有左、右馈电接头;在中主传输微带两端设有左、右支节谐振器,左支节谐振器一端与中主传输微带左端之间加载左变容二极管,右支节谐振器一端与中主传输微带右端之间加载右变容二极管,左支节谐振器另一端串接左电感,右支节谐振器另一端串接右电感,左、右电感外接左、右反向偏置电压;中主传输微带串接中电感。
  • 2. 一种石墨烯光探测器
  • 【Application Number】
  • CN201620532181.7
  • 【Application Date】
  • 2016-06-02
  • 【Patent Number】
  • CN205645841U
  • 【Publication Date】
  • 2016-10-12
  • 【Inventors】
  • 朱锦锋; 李嘉晔; 刘海; 柳清伙
  • 【Abstract】
  • 一种石墨烯光探测器,涉及光探测器。提供一种可实现超宽带吸收的功能的基于超材料结构的石墨烯光探测器。为叠层结构,从上至下在垂直方向上依次为金属层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层结构;在水平方向上,石墨烯层和介质层均采用栅状条块,条块周期排列,在每层石墨烯层上加偏置电压,用于改变石墨烯的折射率,从而动态调控每石墨烯层的空间反射率,进而调控整个结构的空间吸收率。
  • 3. 一种可见光折射率传感器
  • 【Application Number】
  • CN201520951352.5
  • 【Application Date】
  • 2015-11-25
  • 【Patent Number】
  • CN205139007U
  • 【Publication Date】
  • 2016-04-06
  • 【Inventors】
  • 朱锦锋; 张丽蓉; 白彦强; 严爽; 柳清伙
  • 【Abstract】
  • 一种可见光折射率传感器,涉及光传感器。为3层结构,从下至上依次设有基片、纳米压印胶层、铬层和银层,所述纳米压印胶层涂布在基片的上表面,纳米压印胶层的上表面沉积均匀周期排列的微纳米金属圆孔洞阵列,铬层蒸镀在纳米压印胶层上,银层蒸镀在铬层上。纳米压印胶层的厚度可为200~250nm;铬层的厚度可为10~20nm;银层的厚度可为200~250nm;所述周期可为500~600nm。工艺简单、尺寸小、灵敏度高、成本低,让可见光折射率传感器的应用更加广泛。
  • 4. 一种基于石墨烯的空间电光调制器
  • 【Application Number】
  • CN201520719757.6
  • 【Application Date】
  • 2015-09-17
  • 【Patent Number】
  • CN204925542U
  • 【Publication Date】
  • 2015-12-30
  • 【Inventors】
  • 朱锦锋; 蔡艺军; 严爽; 张丽蓉; 柳清伙
  • 【Abstract】
  • 一种基于石墨烯的空间电光调制器,涉及电光调制器。为5层结构,从上至下依次设有上银层、上六方氮化硼层、石墨烯单原子层、下六方氮化硼层和下银层;上银层上设有至少1条缝隙。上银层、上六方氮化硼层、石墨烯单原子层、下六方氮化硼层和下银层的长度均可为200~300nm,宽度均可为140~170nm;上银层的厚度为10~30nm;缝隙的宽度可为5~20nm,上六方氮化硼层的厚度为1nm,石墨烯单原子层的厚度为0.3~0.8nm,下六方氮化硼层的厚度可为15~50nm,下银层的厚度为100~2000nm;总厚度为126.3~281.8nm。尺寸小、操作电压低、调制速度快、工作频带宽。
  • 5. 一种变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器
  • 【Application Number】
  • CN201520363273.2
  • 【Application Date】
  • 2015-05-29
  • 【Patent Number】
  • CN204614913U
  • 【Publication Date】
  • 2015-09-02
  • 【Inventors】
  • 朱锦锋; 李德龙; 白彦强; 蔡艺军; 张谅; 叶龙芳; 柳清伙
  • 【Abstract】
  • 一种变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器,涉及波导口阻抗匹配器。从上至下设有正面金属结构层、第一介质层、全金属反射短路层、第二介质层、背面馈电线路层;正面金属结构层设有上下方形金属环组,各金属环的左右对边中心处均设开口,开口两端接变容二极管,相邻金属环顶端之间和底端之间均设隔直电阻;在上下方形金属环组的最左边下方形金属环的左上角处分别设有上左馈电引线孔,在上下方形金属环组的最右边下方形金属环的右下角处分别设有上右馈电引线孔;在背面馈电线路层上设有下左馈电引线孔和稳压电源正极馈电线,在背面馈电线路层上设有下右馈电引线孔和稳压电源负极馈电线,稳压电源正负极馈电线的中部断开并用电阻连接。
  • 6. 一种基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体
  • 【Application Number】
  • CN201520316108.1
  • 【Application Date】
  • 2015-05-15
  • 【Patent Number】
  • CN204575880U
  • 【Publication Date】
  • 2015-08-19
  • 【Inventors】
  • 朱锦锋; 白彦强; 蔡艺军; 刘海; 柳清伙
  • 【Abstract】
  • 一种基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体,涉及电磁波吸收体。本实用新型为3层结构,从下至上依次为衬底、金属层和介电层,在介电层上设有金属微纳阵列。所述衬底采用单面抛光硅片。所述金属层可采用金层或银层;所述金属层的厚度可大于100nm。所述介电层采用介电氧化物层,所述介电氧化物层可选自Al2O3或SiO2;所述介电层的厚度可为10~50nm。采用电子束直写技术制作的纳米压印模板,其精密程度完全可以满足器件对阵列周期以及阵列直径的要求。精确模板的使用可以很好地保证每个阵列单元的一致性。由于纳米压印技术的采用,使器件的制作成本降低,且可用于工业中的大量生产。
  • 7. 一种变容管加载的可重构带阻滤波器
  • 【Application Number】
  • CN201420731309.3
  • 【Application Date】
  • 2014-11-27
  • 【Patent Number】
  • CN204189935U
  • 【Publication Date】
  • 2015-03-04
  • 【Inventors】
  • 叶龙芳; 余敏; 朱锦锋; 张谅; 刘颜回; 柳清伙
  • 【Abstract】
  • 一种变容管加载的可重构带阻滤波器,涉及微波滤波器。设有介质基板,在介质基板上表面设有平面微带电路,下表面设有接地金属层;在平面微带电路上一侧两端分别设有左、右主传输微带,在左、右主传输微带之间设有中主传输微带;在左与中主传输微带之间串联左隔直电容,在右与中主传输微带之间串联右隔直电容,在左、右主传输微带的端部设有左、右馈电接头;在中主传输微带两端设有左、右支节谐振器,左支节谐振器一端与中主传输微带左端之间加载左变容二极管,右支节谐振器一端与中主传输微带右端之间加载右变容二极管,左支节谐振器另一端串接左电感,右支节谐振器另一端串接右电感,左、右电感外接左、右反向偏置电压;中主传输微带串接中电感。
  • 8. 一种混合极化双通道探地雷达系统
  • 【Application Number】
  • CN201420637837.2
  • 【Application Date】
  • 2014-10-30
  • 【Patent Number】
  • CN204101725U
  • 【Publication Date】
  • 2015-01-14
  • 【Inventors】
  • 刘海; 柳清伙; 陈忠; 刘颜回; 朱锦锋; 梁添
  • 【Abstract】
  • 一种混合极化双通道探地雷达系统,涉及探地雷达。设有双通道矢量网络分析仪、混合极化天线阵列、计算机;所述分析仪与天线阵列通过同轴线连接,计算机通过GBIP数据线与分析仪连接;分析仪设有雷达主机、发射机、第1接收机、第2接收机;天线阵列设有圆极化平面螺旋发射天线、线性极化接收天线,发射天线与发射机的发射信号输出端连接,第1线性极化接收天线与第1接收机输入端连接,第2线性极化接收天线与第2接收机输入端连接;第1线性极化接收天线与第2线性极化接收天线互相垂直,发射天线与两个接收天线的主轴方向互相平行,视在相位中心位于同一水平面上并成等腰直角三角形,即两个接收天线的孔径中心到发射天线中心的距离相等。

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