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  • 1. 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
  • 【Application Number】
  • CN201210026594.4
  • 【Application Date】
  • 2012-02-07
  • 【Patent Number】
  • CN102590559B
  • 【Publication Date】
  • 2013-10-09
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 李孔翌; 蔡端俊; 杨旭; 李书平; 詹华瀚; 李恒; 陈晓航
  • 【Abstract】
  • 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法,涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台,采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区,选取待测纳米结构,光纤定位,双探针定位,高能量分辨率电注入发光测试,高空间分辨率载流子选择性注入测试。

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