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C-Papers (6)

2016
  • 1. 高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨. 发光学报, 2016, 05
2015
  • 1. Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 02
  • 2. 应变AlN表面生长动力学. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 3
2013
  • 1. Al和N极性AlN生长特性的第一性原理. 厦门理工学院学报, 2013, 03
  • 2. 高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展. 物理学进展, 2013, 02
2011
  • 1. MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征. 厦门理工学院学报, 2011, 3



Patents (2)

  • 1. 上楼助力购物车
  • 【Application Number】
  • CN201620816106.3
  • 【Application Date】
  • 2016-08-01
  • 【Patent Number】
  • CN205930771U
  • 【Publication Date】
  • 2017-02-08
  • 【Inventors】
  • 金守宽; 林伟; 潘长熠; 温宇; 孙晨辉; 陈艳蓉
  • 【Abstract】
  • 本实用新型涉及一种上楼助力购物车, 包括基架,基架上部后侧设置有上层挂轮组件,基架下部后侧设置有下层支承轮组件,下部前侧设置有载货支架,基架底部有转动轮,上层挂轮组件包括挂轮轴、穿设于基架上的第一长销轴、穿设于基架上的第二长销轴、第一连杆、第二连杆,下层支承轮组件包括两个套管,两个套管之间通过支撑管相连接,支撑管后部设置有支撑板,支撑管中部与支撑板中部铰接,支撑板后侧面设置有支撑轮,支撑轮经支承轮架与支撑板相连接,本实用新型具结构简单,使用方便,依靠挂接在楼梯扶手的钢管上承受物品重力以及居民的推动实现向上滑动,能够减轻居民日常购物以及搬运较重物品时的劳动强度。
  • 2. 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN201310461747.2
  • 【Application Date】
  • 2013-09-30
  • 【Patent Number】
  • CN103474503B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-20
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 黄凯; 陈雪; 林伟; 李书平; 陈航洋; 杨旭; 李金钗
  • 【Abstract】
  • 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。

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