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C-Papers (4)

2015
  • 1. KrF脉冲激光退火制备锐钛矿TiO_2薄膜. 量子电子学报, 2015, 06
  • 2. 结合雪崩和PIN特性的4H-SiC紫外光电探测器的模拟. 中国新通信, 2015, 7
2014
  • 1. 激光干涉光刻法制备二氧化硅光子晶体抗反射膜. 电子技术与软件工程, 2014, 9
2011
  • 1. 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟. 量子电子学报, 2011, 6



Patents (1)

  • 1. 一种雪崩光电二极管
  • 【Application Number】
  • CN201220112236.0
  • 【Application Date】
  • 2012-03-22
  • 【Patent Number】
  • CN202487594U
  • 【Publication Date】
  • 2012-10-10
  • 【Inventors】
  • 洪荣墩; 吴正云; 陈主荣; 蔡加法; 陈厦平
  • 【Abstract】
  • 一种雪崩光电二极管,涉及半导体光电二极管探测器件。提供一种具有超高紫外可见比的光控击穿电压亚微米柱紫外雪崩光电二极管。设有高掺杂N+型衬底,在高掺杂N+型衬底上表面设有N-层,在N-层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层,在N-层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层,在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层,在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层,在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极,在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。

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