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C-Papers (4)

2015
  • 1. Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 02
2013
  • 1. 高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展. 物理学进展, 2013, 02
2012
  • 1. In极性面InN的生长动力学行为. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 5
  • 2. 高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 1



Patents (6)

  • 1. 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法
  • 【Application Number】
  • CN201510385468.1
  • 【Application Date】
  • 2015-06-30
  • 【Patent Number】
  • CN104959626B
  • 【Publication Date】
  • 2017-02-22
  • 【Inventors】
  • 蔡端俊; 王华春; 林娜; 徐红梅; 伍臣平; 马吉; 郭惠章; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法,涉及核壳纳米材料。将Cu纳米线与金属有机盐混溶于十八烯胺溶液中;将反应容器加热,第一阶段,将反应容器内溶液温度加热至80~120℃后,通入N2,恒温加热10~20min;第二阶段,当金属有机盐为乙酰丙酮镍或乙酰丙酮锌时,反应温度为180~210℃;当金属有机盐为乙酰丙酮钒或乙酰丙酮钛时,反应温度为140~170℃;当反应溶液的温度由80~120℃达到设定温度后,恒温加热30~60min,反应结束;待反应溶液冷却,加入正己烷溶液,超声,将溶液转移至离心管中离心,纳米线固体沉积在离心管底部,将离心管中上层溶液倒掉即得完成包裹后的Cu纳米线。
  • 2. 一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法
  • 【Application Number】
  • CN201410500423.X
  • 【Application Date】
  • 2014-09-26
  • 【Patent Number】
  • CN104233222B
  • 【Publication Date】
  • 2016-06-29
  • 【Inventors】
  • 马吉; 蔡端俊; 伍臣平; 徐红梅
  • 【Abstract】
  • 一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法,涉及六方氮化硼二维纳米薄膜的制备。提供可有效缩减复杂的氮化硼专业工艺,提高h-BN的质量,并直接和Si基电子器件结合,从而获得高性能的新型光电子器件的一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法。采用一端封闭的石英管,控制CVD气流温度条件在Cu箔上生长出二维h-BN薄膜;将生长出二维h-BN薄膜的Cu箔与Si片同时放置,调控其距离,在Si(100)表面沉积均匀且尺寸小于1μm的Cu微晶粒阵列;利用Cu微晶粒催化作用,在Si(100)上直接生长六方氮化硼二维薄膜。
  • 3. 一种石墨烯碳膜包裹的铜纳米丝网络的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410327046.4
  • 【Application Date】
  • 2014-07-10
  • 【Patent Number】
  • CN104078164B
  • 【Publication Date】
  • 2016-03-09
  • 【Inventors】
  • 蔡端俊; 徐红梅; 吴雅萍; 林娜; 郭惠章
  • 【Abstract】
  • 一种石墨烯碳膜包裹的铜纳米丝网络的制备方法,涉及金属透明薄膜电极的制备。提供可有效改善Cu纳米丝电极的抗氧化性和光电特性的一种石墨烯碳膜包裹的铜纳米丝网络的制备方法。制作Cu纳米丝薄膜电极;在Cu箔上低温生长石墨烯;调控Cu纳米丝的真空熔点;在Cu纳米丝网络上包裹石墨烯碳膜。采用铜箔胶囊将样品密封,利用磁力杆严格控制样品的固化时间和反应时间的方法,可使得Cu纳米丝在中高温度下保持形貌稳定,并完成包裹石墨烯碳膜后的迅速降温退火处理,使得石墨烯碳膜得以在有效时间内均匀包裹在Cu纳米丝的整个侧壁表面,形成同轴型的包裹结构。
  • 4. 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310030135.8
  • 【Application Date】
  • 2013-01-27
  • 【Patent Number】
  • CN103137799B
  • 【Publication Date】
  • 2015-03-04
  • 【Inventors】
  • 蔡端俊; 陈小红; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法,涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡-补偿插层方法,在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理,有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应,以获得超陡峭、对称界面,使量子阱更为接近方势阱,增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡-补偿对层的插入,在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35%以上,克服了不同界面陡峭度的不对称性,大大提高了异质界面的质量,并使超晶格发光效率得到有效提升。
  • 5. 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
  • 【Application Number】
  • CN201210026594.4
  • 【Application Date】
  • 2012-02-07
  • 【Patent Number】
  • CN102590559B
  • 【Publication Date】
  • 2013-10-09
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 李孔翌; 蔡端俊; 杨旭; 李书平; 詹华瀚; 李恒; 陈晓航
  • 【Abstract】
  • 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法,涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台,采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区,选取待测纳米结构,光纤定位,双探针定位,高能量分辨率电注入发光测试,高空间分辨率载流子选择性注入测试。
  • 6. 纳米级高分辨应力测量方法
  • 【Application Number】
  • CN200510078721.5
  • 【Application Date】
  • 2005-06-03
  • 【Patent Number】
  • CN100538349C
  • 【Publication Date】
  • 2009-09-09
  • 【Inventors】
  • 蔡端俊; 徐富春; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 纳米级高分辨应力测量方法,涉及一种应力测量方法,提供一种基于俄歇电子能谱仪, 以电子作为测量的激发源,可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为 确定元素分析和零应力点,用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例,并以样品的1个本 质元素选择一个零应力点搜取其标准谱,作为应力零点标定;利用搜取的零应力点标准谱确 定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱;建立应力标定曲线后,根据确立的俄歇移动和应力的标 定曲线得微区应力值。灵活性强,可根据样品需要建立特殊的模型进行计算,也可建立所有 化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一 致,可达到纳米量级。

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