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Patents (9)

  • 1. 一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410081674.9
  • 【Application Date】
  • 2014-03-07
  • 【Patent Number】
  • CN103865530B
  • 【Publication Date】
  • 2015-10-21
  • 【Inventors】
  • 陈朝; 应莉莉; 蔡丽晗; 郑将辉; 郑淞生
  • 【Abstract】
  • 本发明公开了一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法,其组合配比的通式为:Sr2-2xB2O5 : xEu3+, xNa+,其中0.01≤x≤0.20;其制备方法包括如下步骤:(1)根据所述组合配比通式称取各原料组分;(2)将各原料组分充分混合均匀,经第一次研磨和第一次过筛得颗粒均匀的细粉;(3)将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨和第二次过筛,即得所述红色荧光粉。本发明的红色荧光粉能够被近紫外线激发,可以用于增加传统LED中的红光成分;还可以用于制备单晶硅电池,增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应,提高晶硅电池效率;本发明的制备方法采用高温固相合成方法,加热温度低,能耗少;使用的设备单一,设备投资少,工艺简单,成本低廉。
  • 2. 多晶硅自封堵浇铸装置
  • 【Application Number】
  • CN201210225750.X
  • 【Application Date】
  • 2012-06-28
  • 【Patent Number】
  • CN102718221B
  • 【Publication Date】
  • 2014-06-11
  • 【Inventors】
  • 郑淞生
  • 【Abstract】
  • 多晶硅自封堵浇铸装置,涉及一种采用冶金法提纯太阳能级多晶硅的设备。提供一种可以通过坩埚底部开口浇铸通道进行浇铸的多晶硅自封堵浇铸装置。设有浇铸通道、加热系统和熔炼坩埚,所述加热系统设在浇铸通道外侧四周,所述熔炼坩埚底部与浇铸通道之间连接。可以用于各种硅的熔炼过程,包括造渣、通气、定向凝固、真空熔炼等。彻底取代了翻转浇铸方式,可以实现各种工艺的连续化提纯,同时也实现了各种不同熔炼过程之间的成功连接,减少了硅在熔炼提纯过程中的不断凝固与熔融过程,大大节约了能耗,更关键的地可实现连续化生产。具有很可观的市场应用前景。
  • 3. 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201010126686.0
  • 【Application Date】
  • 2010-03-12
  • 【Patent Number】
  • CN101775650B
  • 【Publication Date】
  • 2013-01-30
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 沈晓杰; 李锦堂; 郑淞生
  • 【Abstract】
  • 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法及装置,涉及一种太阳能多晶硅。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置、太阳能多晶硅铸锭的制备方法、锌电解回收装置及方法。提纯装置设主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向凝固升降装置、石墨底盘、石英坩埚和热电偶测温装置。将多晶硅和工业锌料放入坩埚,锌料和多晶硅融化后得硅锌合金熔体;启动升降装置,带动坩埚连同石墨底盘定向凝固;当硅锌合金熔体凝固后,取出硅锌合金硅锭,切除上部即得太阳能级多晶硅。回收装置设电解槽、整流器、低位集液槽、加温槽、耐酸泵和高位槽。将电解回收后的硅置于坩埚内,掺杂锗装炉;抽真空,硅料加热到融化;通过定向凝固得定向凝固多晶硅。
  • 4. 一种多晶硅除硼提纯方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112546.5
  • 【Application Date】
  • 2009-09-15
  • 【Patent Number】
  • CN101671023B
  • 【Publication Date】
  • 2011-12-14
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 蔡靖; 李锦堂; 郑淞生; 陈文辉; 沈晓杰; 龚惟扬; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 一种多晶硅除硼提纯方法,涉及一种多晶硅的除硼提纯工艺。提供一种高效,低成本,操作简单,适合大规模工业化生产的多晶硅除硼提纯方法。选用金属硅为原料;将原料金属硅放入石墨坩埚中,抽真空,启动中频感应电源加热,使石墨坩埚中的金属硅熔化;当硅全部熔化后,向体系中通入惰性气体,提高电源功率,使硅液温度保持在1500~1600℃,加入预熔过的第一种助渣剂反应,进一步提高电源功率,使硅液温度保持在1600~1700℃,再加入预熔后的第二种助渣剂;待造渣完成后,将硅液倒入浇注用坩埚中,静置,冷却后取出硅锭,得到提纯后的多晶硅锭。
  • 5. 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置
  • 【Application Number】
  • CN200910111808.6
  • 【Application Date】
  • 2009-05-19
  • 【Patent Number】
  • CN101555015B
  • 【Publication Date】
  • 2011-11-09
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 蔡靖; 李锦堂; 郑淞生; 陈文辉; 龚惟阳; 沈晓杰; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置,涉及一种多晶硅。提供一种低成本,工艺简单,适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔,所得矿渣装入加料仓;金属硅放入石墨坩埚,抽真空,接中频感应线圈电源,加热熔化金属硅后使硅液保持在1500~1800℃,将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热,通反应气体;旋转加料仓,加入造渣剂,将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中,启动旋转叶片;待通气造渣完成后,关闭旋转叶片,升起多孔旋转喷嘴,关闭气源,将硅液倒入石墨模具静置,冷却后取出硅锭,去除杂质富集部分,得多晶硅锭。
  • 6. 太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071577.6
  • 【Application Date】
  • 2008-08-13
  • 【Patent Number】
  • CN101343063B
  • 【Publication Date】
  • 2011-11-09
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 郑淞生; 蔡靖; 陈文辉; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法,涉及一种多晶硅。提供一种成本低、纯度高、工艺简单易行、操作方便和适合于规模化生产的太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法。设有真空系统、熔炼系统和定向凝固系统;真空系统设有机械旋片泵、萝茨泵和油扩散泵,熔炼系统设有真空室、二次加料器、观察窗、可升降的旋转通气装置、感应线圈和石墨坩埚;定向凝固系统设于真空室的下部,定向凝固系统设有电阻丝加热保温炉、石墨模具、保温炉支架、水冷铜盘、可控速的升降杆。通过感应加热熔化金属硅,在低真空高温条件下通入氧化性气体除硼,然后进行高温高真空除磷,最后将熔融硅液浇注入定向模具中进行严格的定向凝固除金属杂质。
  • 7. 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112690.9
  • 【Application Date】
  • 2009-10-22
  • 【Patent Number】
  • CN101698481B
  • 【Publication Date】
  • 2011-08-10
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 郑淞生; 李锦堂; 蔡靖; 陈文辉; 龚惟阳; 沈晓杰; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法,涉及一种多晶硅的提纯方法。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法。提纯装置设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。将多晶硅和铜料放入坩埚中,接通电源使铜和多晶硅融化形成硅铜合金熔体,测定坩埚内竖直方向上各点温度,调节感应加热功率控制器,使坩埚内的合金熔体保持一个温度梯度,从坩埚中部到底部,温度从高到低;启动定向升降装置,带动坩埚连同石墨底盘下拉产生定向凝固;合金熔体凝固后切断电源,冷却后取出合金硅锭,切除上部,剩余部分即为太阳能级多晶硅。
  • 8. 真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112398.7
  • 【Application Date】
  • 2009-08-19
  • 【Patent Number】
  • CN101628719B
  • 【Publication Date】
  • 2011-08-10
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 郑淞生; 蔡靖; 陈文辉; 李锦堂; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法,涉及一种硅提纯方法。提供一种真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法。将多晶硅放入坩埚中,抽真空,预热后关闭粗抽阀,开启扩散泵阀门抽真空,接通中频感应加热电源,坩埚开始感应生热,对坩埚内的硅原料进行低温预热,当温度上升到600℃时,硅自身感应生热;增加中频加热功率为50~200kW,当温度达到1415℃以上时,硅开始熔化;熔化后,调节中频加热功率,使硅液温度控制在1550~1850℃;待温度稳定后,将真空度控制在1.2×10-2~1.0×10-1Pa;开始计时,保温时间为45~120min;在水冷铜盘中通入循环水,然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中,快速凝固,即完成。
  • 9. 一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置
  • 【Application Number】
  • CN200910112547.X
  • 【Application Date】
  • 2009-09-15
  • 【Patent Number】
  • CN101671024B
  • 【Publication Date】
  • 2011-05-18
  • 【Inventors】
  • 罗学涛; 蔡靖; 李锦堂; 郑淞生; 陈文辉; 沈晓杰; 龚惟扬; 陈朝
  • 【Abstract】
  • 一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置。提供一种低成本,高效,适合产业化推广的采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺以及多晶硅除硼提纯装置。提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、转移弧等离子熔炼系统和浇注用石墨模具。将金属硅放入坩埚中,抽真空,加热熔化金属硅;熔化后提高电源功率,使硅液温度保持在1600~1800℃,启动等离子熔炼系统,将等离子枪降至引弧装置上方,通入工作气体引弧;引弧完成后移开引弧装置,调节给定电流和等离子弧长度,对硅液表面进行等离子熔炼后,给定电流调零,断开等离子弧,升起等离子枪,关闭气源,将硅液倒入模具,静置冷却后取出硅锭。

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