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C-Papers (30)

2016
  • 1. 高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨. 发光学报, 2016, 05
2015
  • 1. Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 02
  • 2. 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极结构的AlGaN基紫外LEDs设计. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 4
  • 3. 应变AlN表面生长动力学. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 3
  • 4. 纤锌矿结构ZnO(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面稳定几何及电子结构性质. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 1
2014
  • 1. 单双层石墨烯的制备及电导特性调控. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5
  • 2. Ⅱ-Ⅵ比对分子束外延生长的ZnO/ZnMgO超晶格的相结构调控. 发光学报, 2014, 5
  • 3. 六边形LED芯片的出光效率模拟研究. 真空电子技术, 2014, 2
2013
  • 1. 不同衬底上Au纳米颗粒制备及其光学特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2013, 03
  • 2. 高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展. 物理学进展, 2013, 02
  • 3. Dy~(3+)和La~(3+)掺杂ZnO薄膜的特点及其气敏传感特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2013, 02
2012
  • 1. 基于LabVIEW的外延片光致发光扫描系统. 光子学报, 2012, 7
  • 2. ZnO(0001)Zn极性面上不同单体生长动力学特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 4
  • 3. 用于短波段发光二极管的二维光子晶体禁带研究. 光学学报, 2012, 6
  • 4. In极性面InN的生长动力学行为. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 5
  • 5. 高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 1
2011
  • 1. ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 6
  • 2. MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征. 厦门理工学院学报, 2011, 3
  • 3. 半导体光电结构材料及其应用. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 2
  • 4. GaN薄膜的椭偏光谱研究. 半导体技术, 2011, 11
2010
  • 1. Si(001)衬底上闪锌矿ZnO的制备与分析. 发光学报, 2010, 2
2009
  • 1. 不同结构参数氮化镓基发光二极管芯片出光的蒙特卡罗方法模拟 . 厦门大学学报(自然科学版) , 2009, 3
2008
  • 1. Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响. 固体电子学研究与进展, 2008, 04
  • 2. 微纳尺度俄歇电子能谱新技术开发及其应用进展. 物理学进展, 2008, 04
2007
  • 1. AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1
  • 2. GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1
  • 3. 具有缺陷态的二维光子晶体通讯波长滤波器的结构优化设计. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1
  • 4. Li嵌入对V_2O_5电子结构及光学性质的影响(英文). 发光学报, 2007, 01
  • 5. GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文). 发光学报, 2007, 01
  • 6. InGaN量子阱的微观特性(英文). 发光学报, 2007, 01



Patents (13)

  • 1. 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法
  • 【Application Number】
  • CN201510385468.1
  • 【Application Date】
  • 2015-06-30
  • 【Patent Number】
  • CN104959626B
  • 【Publication Date】
  • 2017-02-22
  • 【Inventors】
  • 蔡端俊; 王华春; 林娜; 徐红梅; 伍臣平; 马吉; 郭惠章; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法,涉及核壳纳米材料。将Cu纳米线与金属有机盐混溶于十八烯胺溶液中;将反应容器加热,第一阶段,将反应容器内溶液温度加热至80~120℃后,通入N2,恒温加热10~20min;第二阶段,当金属有机盐为乙酰丙酮镍或乙酰丙酮锌时,反应温度为180~210℃;当金属有机盐为乙酰丙酮钒或乙酰丙酮钛时,反应温度为140~170℃;当反应溶液的温度由80~120℃达到设定温度后,恒温加热30~60min,反应结束;待反应溶液冷却,加入正己烷溶液,超声,将溶液转移至离心管中离心,纳米线固体沉积在离心管底部,将离心管中上层溶液倒掉即得完成包裹后的Cu纳米线。
  • 2. 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201610033401.6
  • 【Application Date】
  • 2016-01-19
  • 【Patent Number】
  • CN105480942B
  • 【Publication Date】
  • 2016-11-23
  • 【Inventors】
  • 黄胜利; 余彬彬; 赵瑞胜; 李定国; 刘璟; 李书平; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法,涉及纳米微球。利用搭建的单层密排纳米微球阵列制备装置,把基片按一定位置和方向安置到装置中,通过水的浮力和表面活性剂的作用让纳米微球单层密排在水面上,缓慢平移一套装有待排列纳米微球阵列的第二基片夹支架,将第二基片置于水面单层密排纳米微球区域正下方,再缓慢排水以让纳米微球阵列转移到基片表面,并通过退火以让纳米微球阵列密排在基片上。装置成本低廉、结构简单、操作简便、对液面扰动小。所形成的纳米微球阵列除了本身二维结构特性应用,还可作为纳米微球模板用于制备更精细结构的大面积二维纳米球壳阵列、二维纳米颗粒阵列及二维异质结纳米薄层阵列,适用于纳米科学、纳米加工工程等领域。
  • 3. 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310250357.0
  • 【Application Date】
  • 2013-06-21
  • 【Patent Number】
  • CN103320753B
  • 【Publication Date】
  • 2016-04-13
  • 【Inventors】
  • 黄凯; 陈雪; 康俊勇; 高娜; 杨旭
  • 【Abstract】
  • 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法,涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中,放入样品台,然后将衬底放置于样品台上;将铝置于E-Beam生长腔体内,用高能电子束轰击膜料铝,使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态,并沉积在衬底上,完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法,可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控,有利于制备电学/光电器件。制备条件简单,不需要复杂设备,在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
  • 4. 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN201310461747.2
  • 【Application Date】
  • 2013-09-30
  • 【Patent Number】
  • CN103474503B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-20
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 黄凯; 陈雪; 林伟; 李书平; 陈航洋; 杨旭; 李金钗
  • 【Abstract】
  • 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
  • 5. 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极
  • 【Application Number】
  • CN201210319019.3
  • 【Application Date】
  • 2012-08-31
  • 【Patent Number】
  • CN102820398B
  • 【Publication Date】
  • 2015-05-27
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 杨旭; 李金钗; 李书平
  • 【Abstract】
  • 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极,涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应,改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底;分布式布拉格反射结构设在半导体基底上,分布式布拉格反射结构为多层介质,所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆;所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
  • 6. 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310215286.0
  • 【Application Date】
  • 2013-06-03
  • 【Patent Number】
  • CN103296141B
  • 【Publication Date】
  • 2015-05-13
  • 【Inventors】
  • 黄胜利; 杨倩倩; 李书平; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法,涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤;一个沉积ZnO薄膜的步骤;一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀;然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线,得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比,该结构材料拥有异质结界面,可通过改变材料成分调节能带结构,并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积,非常适用于太阳能电池及光催化领域。
  • 7. 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310030135.8
  • 【Application Date】
  • 2013-01-27
  • 【Patent Number】
  • CN103137799B
  • 【Publication Date】
  • 2015-03-04
  • 【Inventors】
  • 蔡端俊; 陈小红; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法,涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡-补偿插层方法,在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理,有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应,以获得超陡峭、对称界面,使量子阱更为接近方势阱,增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡-补偿对层的插入,在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35%以上,克服了不同界面陡峭度的不对称性,大大提高了异质界面的质量,并使超晶格发光效率得到有效提升。
  • 8. 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
  • 【Application Number】
  • CN201210026594.4
  • 【Application Date】
  • 2012-02-07
  • 【Patent Number】
  • CN102590559B
  • 【Publication Date】
  • 2013-10-09
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 李孔翌; 蔡端俊; 杨旭; 李书平; 詹华瀚; 李恒; 陈晓航
  • 【Abstract】
  • 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法,涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台,采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区,选取待测纳米结构,光纤定位,双探针定位,高能量分辨率电注入发光测试,高空间分辨率载流子选择性注入测试。
  • 9. 多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置
  • 【Application Number】
  • CN200910112669.9
  • 【Application Date】
  • 2009-10-16
  • 【Patent Number】
  • CN101696942B
  • 【Publication Date】
  • 2011-03-30
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 陈珊珊; 小川智哉
  • 【Abstract】
  • 多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置,涉及一种太阳能电池交流电致发光测试,测试装置设有交流驱动电路、光学组件、摄像管、光谱仪和计算机。交流驱动电路输出端接太阳能电池阵列;光学组件设有滤波片、透镜组和反射镜,滤波片、透镜组、反射镜和摄像管同一光轴,反射镜的反射光束传至光谱仪接收口,摄像管输出端接计算机。将多结太阳能电池样品置于样品台;用光谱仪测量多结太阳能电池电致发光光谱得各个子结的发光波段;通过滤波片选择测试光谱;选择电池样品的测试范围,得交流电致发光图像;计算机进行数据处理,得太阳能电池及其各子电池器件工艺损伤和晶体材料缺陷信息。
  • 10. 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071176.0
  • 【Application Date】
  • 2008-06-04
  • 【Patent Number】
  • CN101289173B
  • 【Publication Date】
  • 2010-06-23
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 李金钗; 李书平; 杨伟煌; 陈航洋; 刘达艺
  • 【Abstract】
  • 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法,涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料;在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层,在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质,得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料,其中,每个生长周期的步骤为:生长带隙较宽的垒层,同时掺入受主杂质;生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层;生长非掺的带隙较窄的阱层;生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层;在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火,即得目标产物。
  • 11. 一种锗量子点的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071934.9
  • 【Application Date】
  • 2008-10-14
  • 【Patent Number】
  • CN101388324B
  • 【Publication Date】
  • 2010-06-09
  • 【Inventors】
  • 张永; 李成; 廖凌宏; 陈松岩; 赖虹凯; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种锗量子点的制备方法,涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上,生长一层SiGe合金层,Ge组分大于0,小于等于0.5;将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗,清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层,氧化物为SiO2和GeO2的混合物;将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧,得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度,小于SiGe的熔点。
  • 12. 纳米级高分辨应力测量方法
  • 【Application Number】
  • CN200510078721.5
  • 【Application Date】
  • 2005-06-03
  • 【Patent Number】
  • CN100538349C
  • 【Publication Date】
  • 2009-09-09
  • 【Inventors】
  • 蔡端俊; 徐富春; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 纳米级高分辨应力测量方法,涉及一种应力测量方法,提供一种基于俄歇电子能谱仪, 以电子作为测量的激发源,可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为 确定元素分析和零应力点,用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例,并以样品的1个本 质元素选择一个零应力点搜取其标准谱,作为应力零点标定;利用搜取的零应力点标准谱确 定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱;建立应力标定曲线后,根据确立的俄歇移动和应力的标 定曲线得微区应力值。灵活性强,可根据样品需要建立特殊的模型进行计算,也可建立所有 化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一 致,可达到纳米量级。
  • 13. 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
  • 【Application Number】
  • CN200610092944.1
  • 【Application Date】
  • 2006-06-15
  • 【Patent Number】
  • CN100438108C
  • 【Publication Date】
  • 2008-11-26
  • 【Inventors】
  • 刘学林; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极,涉及一种发光二极管芯片,尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展,而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极,在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽,将芯片分成至少2个小区域的集合,在P型GaN的表面生长一层透明导电层,在透明导电层上淀积P型电极,在沟槽内淀积N型电极,N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状,P型电极环绕在芯片的边缘,并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散,提高发光效率。

Books & Chapters (3)

  • 1. p.78-81, Defects in III nitrides//Proceedings of the 6th Chinese Optoelectronics Symposium, IEEE, 2003.(论文集 )., 2003
  • 2. Photoluminescence of bulk InP: Sn grown by a liquid-encapsulated vertical Bridgman in a flat-bottom crucible//Advanced Nanomaterials and Nanodevices.(专著).Institute of Physics Publishing Ltd., 2003
  • 3. P.713, Influence of surface mofication on shavpes and structures of nanocrystalline SnO2-x particles technologies//Pacific Rim Workshop on Tansducers and Micro/nano.(论文集 ).Xiamen University Press, 2002


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