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C-Papers (4)

2015
  • 1. KrF脉冲激光退火制备锐钛矿TiO_2薄膜. 量子电子学报, 2015, 06
2011
  • 1. 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟. 量子电子学报, 2011, 6
2010
  • 1. 4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究. 光谱实验室, 2010, 4
2007
  • 1. 不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1



Patents (5)

  • 1. 一种雪崩光电二极管
  • 【Application Number】
  • CN201220112236.0
  • 【Application Date】
  • 2012-03-22
  • 【Patent Number】
  • CN202487594U
  • 【Publication Date】
  • 2012-10-10
  • 【Inventors】
  • 洪荣墩; 吴正云; 陈主荣; 蔡加法; 陈厦平
  • 【Abstract】
  • 一种雪崩光电二极管,涉及半导体光电二极管探测器件。提供一种具有超高紫外可见比的光控击穿电压亚微米柱紫外雪崩光电二极管。设有高掺杂N+型衬底,在高掺杂N+型衬底上表面设有N-层,在N-层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层,在N-层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层,在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层,在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层,在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极,在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。
  • 2. 4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200610135353.8
  • 【Application Date】
  • 2006-12-20
  • 【Patent Number】
  • CN100463232C
  • 【Publication Date】
  • 2009-02-18
  • 【Inventors】
  • 吴正云; 朱会丽; 陈厦平
  • 【Abstract】
  • 4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法,涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益,对可见光与红外光不敏感,可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测器设有n+型4H-SiC衬底,在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层,器件表面设钝化膜,外延层上设p电极,p电极上设焊盘,衬底背面设n电极。制备时外延片标准清洗,制备所有台面,再制备氧化层,氧化层作为芯片的钝化层;光刻p电极区,腐蚀掉电极图形处的氧化层,溅射Ti/Al/Au作为p电极接触金属,衬底背面形成n型欧姆接触。
  • 3. δ掺杂4H-SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200610135372.0
  • 【Application Date】
  • 2006-12-23
  • 【Patent Number】
  • CN100438083C
  • 【Publication Date】
  • 2008-11-26
  • 【Inventors】
  • 吴正云; 陈厦平; 朱会丽; 卢嵩岳; 李凌
  • 【Abstract】
  • δ掺杂4H-SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法,涉及一种半导体光电探测器。提供一种δ掺杂SiC PIN结构紫外光电探测器及制法。在n+型SiC衬底上外延生长n+型缓冲层、n-型层I、δ掺杂n型层、n-型层II和p+型层,器件表面设钝化膜,在p+型层上设p电极,衬底背面设n电极。衬底用n+型4H-SiC衬底或其同质多型体。制备时刻蚀出外延片台面作为光敏面;热氧化生长氧化层作为钝化膜;在p+型层上制备p型电极;甩上光刻胶保护外延片p+型层上氧化层,去除n+型衬底上氧化层并沉积n型电极金属;将p型电极和n型电极退火形成欧姆接触;制备压焊区覆盖于p型欧姆接触电极一角;管芯划片压焊封装成管。
  • 4. 一种PIN结构4H-SiC紫外光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN200620156586.1
  • 【Application Date】
  • 2006-12-23
  • 【Patent Number】
  • CN201032635Y
  • 【Publication Date】
  • 2008-03-05
  • 【Inventors】
  • 卢嵩岳; 吴正云; 李凌; 陈厦平; 朱会丽
  • 【Abstract】
  • 一种PIN结构4H-SiC紫外光电探测器,涉及一种光电探测器,尤其是涉及一种探测波长为200~400nm的SiC PIN紫外光电探测器。提供一种可用于在很强的可见及红外光背景下检测紫外信号的碳化硅(SiC)PIN结构紫外光电探测器。设有n+型衬底,在n+型衬底上依次外延生长n型层、n-型层和p+型层,n+型衬底背面为n型欧姆接触电极,采用干法刻蚀工艺刻蚀一高度从表面p+型层到达n型层的器件隔离台阶,隔离台阶和p+型层表面覆盖氧化层,在p+型层表面的p型接触电极窗口处沉积p型欧姆接触电极,p型欧姆接触电极上一角覆盖金属Ti/Au层作为焊盘,覆盖氧化层的台面为器件的光敏面。
  • 5. 4H-SiC雪崩光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN200620156550.3
  • 【Application Date】
  • 2006-12-20
  • 【Patent Number】
  • CN201000897Y
  • 【Publication Date】
  • 2008-01-02
  • 【Inventors】
  • 吴正云; 朱会丽; 陈厦平
  • 【Abstract】
  • 4H-SiC雪崩光电探测器,涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益,对可见光与红外光不敏感,可直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H-SiC雪崩光电探测器。设有n+型4H-SiC衬底,衬底上从下到上生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层,吸收层为非故意掺杂的本征层或掺杂浓度1×1015/cm3~1×1016/cm3的轻掺杂层;倍增层掺杂浓度1×1016/cm3~1×1018/cm3,厚度为0.05~0.5μm;p+外延层掺杂浓度至少为1×1018/cm3,厚度为0.1~0.5μm。器件表面为钝化膜,在p+外延层上设p电极,p电极上设焊盘,衬底背面设n电极。

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