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C-Papers (5)

2015
  • 1. 局域表面等离子体激元在光电器件中的应用. 宜春学院学报, 2015, 3
2013
  • 1. 用于锂离子电池负极的多孔硅材料制备. 厦门大学学报(自然科学版), 2013, 04
  • 2. 不同衬底上Au纳米颗粒制备及其光学特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2013, 03
  • 3. Dy~(3+)和La~(3+)掺杂ZnO薄膜的特点及其气敏传感特性. 厦门大学学报(自然科学版), 2013, 02
2011
  • 1. 硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛. 厦门大学学报(自然科学版), 2011, 6



Patents (3)

  • 1. 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310250357.0
  • 【Application Date】
  • 2013-06-21
  • 【Patent Number】
  • CN103320753B
  • 【Publication Date】
  • 2016-04-13
  • 【Inventors】
  • 黄凯; 陈雪; 康俊勇; 高娜; 杨旭
  • 【Abstract】
  • 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法,涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中,放入样品台,然后将衬底放置于样品台上;将铝置于E-Beam生长腔体内,用高能电子束轰击膜料铝,使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态,并沉积在衬底上,完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法,可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控,有利于制备电学/光电器件。制备条件简单,不需要复杂设备,在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
  • 2. 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN201310461747.2
  • 【Application Date】
  • 2013-09-30
  • 【Patent Number】
  • CN103474503B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-20
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 高娜; 黄凯; 陈雪; 林伟; 李书平; 陈航洋; 杨旭; 李金钗
  • 【Abstract】
  • 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
  • 3. 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201210018656.7
  • 【Application Date】
  • 2012-01-20
  • 【Patent Number】
  • CN102569033B
  • 【Publication Date】
  • 2014-03-26
  • 【Inventors】
  • 黄凯; 李阳娟; 李成; 赖虹凯
  • 【Abstract】
  • 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法,涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后,退火,再对铝膜进行阳极氧化;去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点,即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列;对样品进行脱氧,即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀,纳米点尺寸和密度可控,且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在,有利于制备电学/光电器件。同时,工艺条件简单,不需要复杂设备,在规模化工业生产中具有良好的应用前景。

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