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C-Papers (20)

2015
  • 1. GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 5
  • 2. InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究进展. 厦门大学学报(自然科学版), 2015, 5
  • 3. Ag厚度对其反射率的影响. 科技创新与应用, 2015, 16
  • 4. 利用ICP进行In掺杂对GaN基LED材料性能的影响. 山东工业技术, 2015, 6
2014
  • 1. 激光剥离GaN表面的抛光技术. 半导体技术, 2014, 10
  • 2. InGaN/GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究. 半导体光电, 2014, 2
2013
  • 1. 蓝紫光宽带可调谐光栅外腔半导体激光器. 激光与光电子学进展, 2013, 11
  • 2. GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展. 微纳电子技术, 2013, 10
  • 3. p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响. 半导体技术, 2013, 01
2010
  • 1. 激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析. 物理学报, 2010, 2
  • 2. GaN基白光发光二极管失效机理分析. 物理学报, 2010, 7
  • 3. ZnO/MgZnO单量子阱的能带重正化与阱宽的关系. 光学学报, 2010, 10
2008
  • 1. MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜. 光电子.激光, 2008, 12
  • 2. AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制. 半导体光电, 2008, 05
  • 3. GaN基垂直腔面发射激光器的研制. 厦门大学学报(自然科学版), 2008, 05
  • 4. 表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟. 电子器件, 2008, 04
  • 5. ZnO薄膜的结构特征及光学性能评价. 红外与激光工程, 2008, 03
  • 6. 生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性的影响. 半导体光电, 2008, 02
2007
  • 1. 非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管. 半导体光电, 2007, 06
  • 2. 优化GaN基发光二极管的电极. 半导体技术, 2007, 10



Patents (11)

  • 1. 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201510094227.1
  • 【Application Date】
  • 2015-03-03
  • 【Patent Number】
  • CN104634767B
  • 【Publication Date】
  • 2017-02-22
  • 【Inventors】
  • 张保平; 翁国恩; 梅洋; 张江勇; 应磊莹
  • 【Abstract】
  • 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法,涉及气体传感器。在蓝宝石衬底GaN基外延片上制作图形化分布布拉格反射镜,然后在表面蒸发或溅射第一含金属层;在衬底表面蒸发或溅射第二含金属层;将第一含金属层和第二含金属层贴合,在真空或氮气氛围下键合,再通过激光剥离技术去除蓝宝石衬底;对去除蓝宝石衬底后的GaN基外延片进行器件分离,形成二维阵列结构,接着蒸发或溅射金属电极、分布布拉格反射镜,最后沉积聚合物涂层,完成器件制作。探测灵敏度高,易于制作成二维阵列结构,达到同时检测多种气体的目的,成本低,效率高。基于氮化镓基谐振腔结构,利用器件谐振发光波长的移动确定被检测气体含量,原理简单,制作容易且探测灵敏度高。
  • 2. 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310084674.X
  • 【Application Date】
  • 2013-03-15
  • 【Patent Number】
  • CN103151416B
  • 【Publication Date】
  • 2016-09-07
  • 【Inventors】
  • 张保平; 蔡晓梅; 张江勇; 余健; 王宇
  • 【Abstract】
  • 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有:支撑衬底;键合介质层;金属反射镜层;p?GaN层;InGaN吸收层;n?GaN层;栅状电极。在外延片表面镀上金属电极,并当作反射镜使用;将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上;采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底,将外延薄膜转移到支撑基板上;粗化n?GaN表面;制作器件台面;制作栅状n?GaN表面电极,得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应,延长电池的使用寿命;在电池的背面制作反射镜,增强了对入射光的吸收,增大光生载流子数目,从而有效提高电池的光电转换效率。
  • 3. 一种衍射光学元件的制作方法
  • 【Application Number】
  • CN201410220044.5
  • 【Application Date】
  • 2014-05-23
  • 【Patent Number】
  • CN103969724B
  • 【Publication Date】
  • 2016-08-17
  • 【Inventors】
  • 张保平; 左海杰; 张江勇; 应磊莹
  • 【Abstract】
  • 一种衍射光学元件的制作方法,涉及微光学器件的制作。1)在基片上制作金属层;2)涂胶,光刻显影,腐蚀出金属层作为刻蚀掩膜,该金属层直径为微透镜最外层环带外径;3)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第一个环带;4)第二次涂胶,背面曝光光刻,显影,保留光刻胶,侧向腐蚀步骤2)中的金属层,去除光刻胶;5)正面涂胶,背面曝光显影;6)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第二个环带;7)重复步骤4),直到刻蚀出所有环带,得到具有多台阶的微透镜衍射光学元件。从根本上避免了传统套刻方法制作微透镜带来的不可避免的误差,减少了制作过程中的工艺步骤,降低了难度,同时也为制作其他多台阶器件提供了途径。
  • 4. 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法
  • 【Application Number】
  • CN201310278517.2
  • 【Application Date】
  • 2013-07-04
  • 【Patent Number】
  • CN103325894B
  • 【Publication Date】
  • 2016-02-17
  • 【Inventors】
  • 张保平; 胡晓龙; 刘文杰; 张江勇; 应磊莹
  • 【Abstract】
  • 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法,涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO,对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀,抛光处理和ICP刻蚀,形成n型台面,再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR,再与临时基底键合在一起,然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底;对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光,在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR,再与一个永久基底键合在一起,并去除临时基底,完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。采用两个高质量的介质膜DBR和损耗较小的p型电流扩展层ITO,实现高性能GaN基谐振腔。
  • 5. 一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法
  • 【Application Number】
  • CN201310127938.5
  • 【Application Date】
  • 2013-04-12
  • 【Patent Number】
  • CN103227265B
  • 【Publication Date】
  • 2015-08-19
  • 【Inventors】
  • 张保平; 刘文杰; 胡晓龙; 张江勇; 应磊莹
  • 【Abstract】
  • 一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法,涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片;在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种,形成非平面结构;在非平面结构上制作金属层;在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理,形成第一含金属层;在导热性好的基底上制备第二含金属层;在真空或者氮气氛围,贴合所述第一含金属层与第二含金属层,将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上,如硅和铜等衬底,从而改善发光器件的散热情况,提高器件可工作的电流密度,增大光功率。
  • 6. GaN基外延薄膜自分裂转移方法
  • 【Application Number】
  • CN201110458460.5
  • 【Application Date】
  • 2011-12-30
  • 【Patent Number】
  • CN102522318B
  • 【Publication Date】
  • 2013-11-27
  • 【Inventors】
  • 张保平; 蔡丽娥; 张江勇; 江方
  • 【Abstract】
  • GaN基外延薄膜自分裂转移方法,涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属,使之成为欧姆接触层,其中加入高反射率金属起到反射镜作用,再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶;在样品表面没有光刻胶的部分电镀金属衬底,并采用化学法去除光刻胶;把样品键合到支撑衬底上;采用激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品,依据激光剥离技术去除蓝宝石衬底,有电镀金属区域的GaN基薄膜则转移到电镀的厚金属衬底,无电镀金属区域的GaN基薄膜发生分裂形成碎片,结果使GaN基外延薄膜实现自分裂和转移。不仅可降低成本、简化工艺,而且可避免金属基板切割和解决因切割金属衬底而造成器件短路问题。
  • 7. 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112478.2
  • 【Application Date】
  • 2009-09-04
  • 【Patent Number】
  • CN101667561B
  • 【Publication Date】
  • 2012-05-23
  • 【Inventors】
  • 张玉龙; 张保平; 罗仲梓; 蒋书森; 张艳; 谷丹丹; 张春权; 李燕飞
  • 【Abstract】
  • 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法,涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点,提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构,分别为上硅片和下硅片,在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道,在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构,2)加工上硅片背面结构,3)加工下硅片,4)再将上硅片和下硅片对准键合。
  • 8. 一种氮化物发光器件及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910111571.1
  • 【Application Date】
  • 2009-04-23
  • 【Patent Number】
  • CN101540364B
  • 【Publication Date】
  • 2011-05-11
  • 【Inventors】
  • 张江勇; 张保平; 王启明; 蔡丽娥; 余金中
  • 【Abstract】
  • 一种氮化物发光器件及其制备方法,涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层,多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄,易实现载流子隧穿,且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化,跃迁能量大的量子阱接近p型注入层,跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运,同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运,改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象,减小电子泄露和能带填充效应,实现高效发光。
  • 9. 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器
  • 【Application Number】
  • CN200710009957.2
  • 【Application Date】
  • 2007-12-10
  • 【Patent Number】
  • CN100544038C
  • 【Publication Date】
  • 2009-09-23
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张保平; 毛明华
  • 【Abstract】
  • 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器,涉及一种光电探测器,尤其是涉及一种将光信 号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变 InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al2O3)衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN 光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层,从下至上GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、 p-InAlN层和p-GaN顶层依次设在蓝宝石(Al2O3)衬底上,在p-GaN顶层上设有p电极,在 n-GaN层上设有n电极。
  • 10. 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200710009955.3
  • 【Application Date】
  • 2007-12-10
  • 【Patent Number】
  • CN100514558C
  • 【Publication Date】
  • 2009-07-15
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张保平; 尹以安
  • 【Abstract】
  • 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法,涉及一种p型氮化镓(p-GaN)。提供一种p-GaN低 阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室,在H2气氛下对衬底热处 理,降温对衬底氮化处理;降温生长GaN缓冲层,升温使GaN缓冲层重新结晶;外延生长GaN 层;降温生长掺镁GaN层;再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层;在5个周期 的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层。结果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格 作顶层可以获得更低的比接触电阻。
  • 11. 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200710009956.8
  • 【Application Date】
  • 2007-12-10
  • 【Patent Number】
  • CN100495750C
  • 【Publication Date】
  • 2009-06-03
  • 【Inventors】
  • 刘宝林; 张保平; 朱丽虹
  • 【Abstract】
  • 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法,涉及一种发光二极管。提供一种出 光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、GaN缓 冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层,InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN 层和掺镁GaN层,并从下至上设于衬底上。将(0001)面的蓝宝石衬底装入反应室,在H2 气氛下热处理;降温生长GaN缓冲层;在GaN缓冲层上生长第1掺硅GaN层,降温取出样 品;在样品上沉积介质层,沿第1掺硅GaN层的方向刻出窗口作为图形衬 底,样品清洗后外延生长:整个外延生长完成后,将外延片退火。

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