只显示第一或通讯作者 按发表时间排序

C-Papers (6)

2009
  • 1. 蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜的制作 . 半导体光电 , 2009, 4
  • 2. Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 . 材料科学与工程学报 , 2009, 1
2008
  • 1. Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响. 固体电子学研究与进展, 2008, 04
  • 2. MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜. 光电子.激光, 2008, 12
  • 3. GaN基垂直腔面发射激光器的研制. 厦门大学学报(自然科学版), 2008, 05
  • 4. UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层. 半导体学报, 2008, 02



Patents (1)

  • 1. 一种氮化物发光器件及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200910111571.1
  • 【Application Date】
  • 2009-04-23
  • 【Patent Number】
  • CN101540364B
  • 【Publication Date】
  • 2011-05-11
  • 【Inventors】
  • 张江勇; 张保平; 王启明; 蔡丽娥; 余金中
  • 【Abstract】
  • 一种氮化物发光器件及其制备方法,涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层,多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄,易实现载流子隧穿,且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化,跃迁能量大的量子阱接近p型注入层,跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运,同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运,改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象,减小电子泄露和能带填充效应,实现高效发光。

Books & Chapters (0)