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C-Papers (4)

2013
  • 1. 高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展. 物理学进展, 2013, 02
2012
  • 1. 高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 1
2007
  • 1. AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1
  • 2. GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究. 福州大学学报(自然科学版), 2007, S1



Patents (1)

  • 1. 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071176.0
  • 【Application Date】
  • 2008-06-04
  • 【Patent Number】
  • CN101289173B
  • 【Publication Date】
  • 2010-06-23
  • 【Inventors】
  • 康俊勇; 李金钗; 李书平; 杨伟煌; 陈航洋; 刘达艺
  • 【Abstract】
  • 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法,涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料;在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层,在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质,得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料,其中,每个生长周期的步骤为:生长带隙较宽的垒层,同时掺入受主杂质;生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层;生长非掺的带隙较窄的阱层;生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层;在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火,即得目标产物。

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