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C-Papers (2)

2012
  • 1. 铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响. 物理学报, 2012, 3
2009
  • 1. CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据 . 科学通报 , 2009, 19



Patents (5)

  • 1. 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201610033401.6
  • 【Application Date】
  • 2016-01-19
  • 【Patent Number】
  • CN105480942B
  • 【Publication Date】
  • 2016-11-23
  • 【Inventors】
  • 黄胜利; 余彬彬; 赵瑞胜; 李定国; 刘璟; 李书平; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法,涉及纳米微球。利用搭建的单层密排纳米微球阵列制备装置,把基片按一定位置和方向安置到装置中,通过水的浮力和表面活性剂的作用让纳米微球单层密排在水面上,缓慢平移一套装有待排列纳米微球阵列的第二基片夹支架,将第二基片置于水面单层密排纳米微球区域正下方,再缓慢排水以让纳米微球阵列转移到基片表面,并通过退火以让纳米微球阵列密排在基片上。装置成本低廉、结构简单、操作简便、对液面扰动小。所形成的纳米微球阵列除了本身二维结构特性应用,还可作为纳米微球模板用于制备更精细结构的大面积二维纳米球壳阵列、二维纳米颗粒阵列及二维异质结纳米薄层阵列,适用于纳米科学、纳米加工工程等领域。
  • 2. 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201310215286.0
  • 【Application Date】
  • 2013-06-03
  • 【Patent Number】
  • CN103296141B
  • 【Publication Date】
  • 2015-05-13
  • 【Inventors】
  • 黄胜利; 杨倩倩; 李书平; 康俊勇
  • 【Abstract】
  • 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法,涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤;一个沉积ZnO薄膜的步骤;一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀;然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线,得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比,该结构材料拥有异质结界面,可通过改变材料成分调节能带结构,并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积,非常适用于太阳能电池及光催化领域。
  • 3. 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112084.7
  • 【Application Date】
  • 2009-06-26
  • 【Patent Number】
  • CN101591004B
  • 【Publication Date】
  • 2011-09-07
  • 【Inventors】
  • 朱贤方; 苏江滨; 吴燕; 李论雄; 黄胜利; 逯高清; 王连洲
  • 【Abstract】
  • 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法,涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末,用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时,再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上,静置得TEM样品;放入样品座中固定好,将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空,对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析;先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选,在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选;先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌,对纳米线行辐照,实时拍照记录纳米线的形貌变化过程,重复“辐照-拍照”,直至得所需形貌的纳米线。
  • 4. 一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112083.2
  • 【Application Date】
  • 2009-06-26
  • 【Patent Number】
  • CN101591003B
  • 【Publication Date】
  • 2011-06-22
  • 【Inventors】
  • 朱贤方; 吴燕; 苏江滨; 李论雄; 黄胜利; 逯高清; 王连洲
  • 【Abstract】
  • 一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法,涉及一种纳米线电子束聚焦辐照加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法。从衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末,用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时,再加到附有微栅碳膜的铜网上,静置得TEM样品,放入样品座中固定好,将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空,对样品中的硅氧化物纳米线观察分析;先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选,然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选;用电镜附带的CCD拍下加工前所选纳米线的形貌,再对纳米线聚焦辐照,实时拍照记录纳米线的形貌变化过程,重复“辐照-拍照”过程,直至实现纳米线的加工。
  • 5. 一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法
  • 【Application Number】
  • CN200910112085.1
  • 【Application Date】
  • 2009-06-26
  • 【Patent Number】
  • CN101602484B
  • 【Publication Date】
  • 2011-06-08
  • 【Inventors】
  • 朱贤方; 苏江滨; 李论雄; 吴燕; 黄胜利; 逯高清; 王连洲
  • 【Abstract】
  • 一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法,涉及一种纳米线焊接方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末,用有机溶剂分散,将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上,静置得TEM样品,放入样品座中固定,将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空,观察分析;在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线粗选,在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选;先在放大倍数20000×~150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌;再对纳米线交叉处辐照,实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程,重复“辐照-拍照”直至最终实现两纳米线的焊接。

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