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C-Papers (9)

2016
  • 1. 基于Ge浓缩技术和O_3氧化制备超薄GOI材料. 半导体光电, 2016, 05:79-82+87
2014
  • 1. 图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5:95-99
  • 2. 铝分层诱导晶化非晶硅的研究. 厦门大学学报(自然科学版), 2014, 5:100-106
  • 3. Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET. 半导体技术, 2014, 2:33-38
2013
  • 1. 硅基硒纳米颗粒的发光特性研究. 物理学报, 2013, 17:477-482
  • 2. 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析. 物理学报, 2013, 16:352-356
2012
  • 1. 高效GaAs/Si叠层电池设计优化. 厦门大学学报(自然科学版), 2012, 4:154-157
  • 2. 采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能. 物理学报, 2012, 18:361-366
2011
  • 1. Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用. 物理学报, 2011, 9:719-723



Patents (1)

  • 1. 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN201410183675.4
  • 【Application Date】
  • 2014-05-04
  • 【Patent Number】
  • CN103928562B
  • 【Publication Date】
  • 2016-01-06
  • 【Inventors】
  • 黄巍; 魏江镔; 陈松岩; 李成
  • 【Abstract】
  • 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法,涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层,再在锗层上生长SiO2覆盖层;2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面;3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽,通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区;4)沉积金属Ni层后热退火,利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极;5)引出器件电极,保护钝化层,即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单,可操作性强,极具应用价值。

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