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C-Papers (1)

2012
  • 1. 小型高分辨电子轰击离子源反射式飞行时间质谱仪的研制. 分析化学, 2012, 10



Patents (8)

  • 1. 一种碳纳米管阵列的生长方法
  • 【Application Number】
  • CN200810071868.5
  • 【Application Date】
  • 2008-09-26
  • 【Patent Number】
  • CN101372327B
  • 【Publication Date】
  • 2011-03-23
  • 【Inventors】
  • 谢素原; 马春印; 林水潮; 江智渊; 黄荣彬; 郑兰荪
  • 【Abstract】
  • 一种碳纳米管阵列的生长方法,涉及一种碳纳米管,尤其是涉及一种低能耗、无炉生长超长碳纳米管阵列的方法。提供一种碳纳米管阵列的生长方法。提供一基底,在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层,得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底;将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上;启动微区加热控制电源,直接以加热片为加热装置对基底加热;通入载气和碳源气;关闭微区加热控制器电源,将基底取出,得到样品。
  • 2. 一种富勒烯燃烧合成装置
  • 【Application Number】
  • CN200910111152.8
  • 【Application Date】
  • 2009-03-02
  • 【Patent Number】
  • CN101503188B
  • 【Publication Date】
  • 2010-12-08
  • 【Inventors】
  • 翁群红; 孙頔; 林水潮; 陈建华; 谢素原; 黄荣彬; 郑兰荪
  • 【Abstract】
  • 一种富勒烯燃烧合成装置,涉及一种富勒烯燃烧合成装置。提供一种安全、易控、成本低廉,且具有一定产量的富勒烯燃烧合成装置。设有燃烧炉、燃烧喷嘴、套筒式冷凝管、滤罐、液滤器、热交换器、真空泵、真空调节系统、点火系统、气体供应与控制系统、真空度测试与显示装置。燃烧喷嘴固定于燃烧炉底盘;套筒式冷凝管接燃烧炉的炉盖下游;滤罐通过真空快卸法兰与套筒式冷凝管相连;液滤器通过管路与滤管相连;热交换器通过管路与液滤器相连;真空泵通过真空球阀与热交换器相连;真空调节系统设有通气阀和真空球阀,点火系统与炉体相连;真空度测试与显示装置与燃烧炉炉体相通;气体供应与控制系统通过供气管道与燃烧喷嘴连接。
  • 3. 气动微泵及其微流阀控制装置
  • 【Application Number】
  • CN200820146194.6
  • 【Application Date】
  • 2008-11-06
  • 【Patent Number】
  • CN201292932Y
  • 【Publication Date】
  • 2009-08-19
  • 【Inventors】
  • 杨朝勇; 张文华; 林水潮; 王春明; 庄峙厦; 周勇亮
  • 【Abstract】
  • 气动微泵及其微流阀控制装置,涉及一种控制装置。提供一种气动微泵及其微流阀控制 装置。设有气动微泵和微流阀控制电路,气动微泵由3个微流阀串接组成,微流阀设有上层、 中间层和下层,上层下部中间部分与中间层之间设有位移腔体,在位移腔体末端设有气体通 道,在下层上部中间部分设有流体通道,上层为聚甲基丙烯酸甲酯充放气层,中间层为聚二 四基硅氧烷膜层,下层为聚甲基丙烯酸酯流体通道层,3个微流阀的流体通道相通。微流阀 控制电路设有USB接口电路、单片机电路、微流阀驱动电路和电源,USB接口电路分别与计 算机、单片机电路和电源连接,单片机电路输出端口接微流阀驱动电路输入端,微流阀驱动 电路输出端分别接3个微流阀的气体通道。
  • 4. 多孔氧化铝模板制备方法及其装置
  • 【Application Number】
  • CN200510007195.3
  • 【Application Date】
  • 2005-01-28
  • 【Patent Number】
  • CN100436654C
  • 【Publication Date】
  • 2008-11-26
  • 【Inventors】
  • 林志为; 林水潮; 连伟; 黄荣彬; 郑兰荪
  • 【Abstract】
  • 多孔氧化铝模板制备方法及其装置,涉及一种硬模板,提供一种前期处理过程简化,实验过程操作简单,设备和溶剂简单易得,制备时间短,药品使用少的多孔氧化铝模板制备方法及其装置。设有电解槽、槽盖、阳极与引出线、阴极与引出线和磁力搅拌器,槽壁为中空双层结构,槽壁上设入、出水口,入、出水口与槽壁的中空内腔相通;槽盖设于电解槽上;阳、阴极置于电解液中,阳极为铝片电极,阴极为铂片电极。其步骤为将铝箔抛光,抛光容器在水浴加热;抛光后放入电解槽,电解槽处于低于室温的温度;将氧化后的铝箔浸泡于饱和氯化汞溶液中,再将脱离铝基的氧化铝薄膜洗净,在H3PO4中浸泡至形成通孔。
  • 5. 核壳型氧化锌/氧化锡复合纳米材料及其制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200510129969.X
  • 【Application Date】
  • 2005-12-16
  • 【Patent Number】
  • CN100344574C
  • 【Publication Date】
  • 2007-10-24
  • 【Inventors】
  • 匡勤; 周樨; 徐韬; 林水潮; 江智渊; 谢兆雄; 谢素原; 黄荣彬; 郑兰荪
  • 【Abstract】
  • 核壳型氧化锌/氧化锡复合纳米材料及其制备方法,涉及一种纳米材料的制备,尤其是涉及一种核壳型氧化锌/氧化锡复合纳米材料及其制备方法。提供一种具有良好的、清洁的、无缺陷界面的核壳型氧化锌/氧化锡复合纳米材料及其制备方法,核壳型氧化锌/氧化锡复合纳米材料包括一个ZnO内核和一层包裹着ZnO的SnO2外壳。先制备ZnO纳米材料,再制备SnH4前驱体,产生的气体SnH4由N2携带进入气囊,生长SnO2外壳,在硅片衬底上生长得到具有核-壳结构的ZnO/SnO2复合材料。氧化锌内核和氧化锡外壳之间形成的界面是清洁的缺陷少的外延界面,可控制性好,形态丰富,具有与其单一材料氧化锌或氧化锡不同的荧光发射谱。
  • 6. 氧化锡空心纳米材料的制备方法
  • 【Application Number】
  • CN200510129960.9
  • 【Application Date】
  • 2005-12-16
  • 【Patent Number】
  • CN1331758C
  • 【Publication Date】
  • 2007-08-15
  • 【Inventors】
  • 匡勤; 周樨; 徐韬; 林水潮; 江智渊; 谢兆雄; 谢素原; 黄荣彬; 郑兰荪
  • 【Abstract】
  • 氧化锡空心纳米材料的制备方法,涉及一种纳米材料的制备,尤其是涉及一种以氧化锌为牺牲模板制备氧化锡空心纳米材料的方法。提供一种制备各种形态的SnO2空心纳米材料的通用方法。步骤为制备ZnO纳米材料,制备SnH4前驱体,产生的气体SnH4通过N2携带进入一个气囊中备用,生长SnO2外壳,即在硅片衬底上生长得到具有核-壳结构的ZnO/SnO2复合材料,最后除去ZnO内核,即得到保持ZnO初始外形的SnO2空心纳米材料。优点是ZnO纳米材料具有极其丰富的形态,SnO2空心材料外壁的结晶度良好,SnO2空心材料外壁的厚度可控。
  • 7. 离子色谱仪信号采集与处理装置
  • 【Application Number】
  • CN03130858.9
  • 【Application Date】
  • 2003-05-15
  • 【Patent Number】
  • CN1297816C
  • 【Publication Date】
  • 2007-01-31
  • 【Inventors】
  • 许茹; 江正梁; 陈淑武; 周志有; 林水潮; 陈华宾; 胡晓毅; 解永军
  • 【Abstract】
  • 涉及用于离子色谱仪的信号采集与处理装置。设有脉冲产生电路;电导池,两电极接脉冲电路输出端;弱信号放大电路,输入端接电导池;采样保持电路,输入端接弱信号放大电路输出端;二次放大电路,输入端接采样保持电路输出端;A/D采集电路,多路采集开关电路输入端接二次放大电路输出端;单片机处理电路,输入接口接A/D采集电路输出端,控制信号输出端口接A/D采集电路多路开关;输出显示电路,输入端接单片机输出接口。采用脉冲信号激励和同步多点采样,利用电导电极在溶液中的等效电路,求解其对脉冲响应的数学方程,可同时得到溶液电导与双层电容值,扩大电导检测器的测量范围。适应组分浓度比相差很大的样品分析。防止外界干扰和误操作对仪器的损坏。
  • 8. 可程控硅片微区加热控制器
  • 【Application Number】
  • CN03237947.1
  • 【Application Date】
  • 2003-09-11
  • 【Patent Number】
  • CN2655310Y
  • 【Publication Date】
  • 2004-11-10
  • 【Inventors】
  • 林水潮
  • 【Abstract】
  • 涉及一种可程控硅片微区加热控制器。设有升压 电路,升压电路输出端接硅片;脉宽调制电路输出端接升压电 路输入端,过流信号输入端接升压电路输出端;超压保护电路 输入端接硅片,输出端接脉宽调制电路输入端;恒流电路输入 端接硅片;升降压恒流自动判断切换电路分别接升压和恒流电 路;接口电路接恒流电路,硅片两端电压采样端口接硅片。适 应硅片特殊的电阻特性,集硅片的启动、控温、保护等于一体。 由于硅片体积热容小,不仅可灵活控制温度,而且节约能源。 具有温度变化迅速、温度控制准确、温度范围宽等特点,尤其 适合需快速温度变化或需准确控制温度的CVD试验体系。还 可作为大电压大电流的恒流装置,应用于大负载变化的恒流控 制场合。

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